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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 - 4 | RMB387.23 |
| 5 - 9 | RMB375.62 |
| 10 - 24 | RMB368.11 |
| 25 - 49 | RMB360.74 |
| 50 + | RMB353.53 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 185-9622
- 制造商零件编号:
- MICROFJ-30020-TSV-TR1
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 封装类型 | SMT | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 放大器功能 | 否 | |
| 针数目 | 4 | |
| 二极管材料 | Si | |
| 检测到的最小波长 | 200nm | |
| 检测到的最大波长 | 900nm | |
| 长度 | 3.16mm | |
| 宽度 | 3.16mm | |
| 高度 | 0.46mm | |
| 击穿电压 | 24.7V | |
| 系列 | J | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
封装类型 SMT | ||
安装类型 贴片 | ||
放大器功能 否 | ||
针数目 4 | ||
二极管材料 Si | ||
检测到的最小波长 200nm | ||
检测到的最大波长 900nm | ||
长度 3.16mm | ||
宽度 3.16mm | ||
高度 0.46mm | ||
击穿电压 24.7V | ||
系列 J | ||
- COO (Country of Origin):
- IE
高密度微细胞
J 系列传感器采用 ON Semiconductor 独特的 " 快速输出 Terminal
温度稳定性为 21.5 mV/°C
异常击穿电压均匀性 ±250 mV
提供回流焊接兼容 TSV 芯片级封装
超低暗计数率、通常为 50 kHz/50V
优化用于高性能计时应用、例如 TOF - PET
3 mm 、 4 mm 和 6 mm 传感器尺寸
偏压电<压为 30 V
在 420 nm 时产生 50% 光子检测效率（ PDE ）
改善了信号上升时间和微单元恢复时间
无需主动电压控制
行业领先的一致性
TSV 封装可产生几乎零死空间、允许创建高填充因子阵列、并且不含铁金属
应用
医疗成像
危险和威胁
3D 范围和传感
生物技术与科学
高能物理
J 系列传感器采用 ON Semiconductor 独特的 " 快速输出 Terminal
温度稳定性为 21.5 mV/°C
异常击穿电压均匀性 ±250 mV
提供回流焊接兼容 TSV 芯片级封装
超低暗计数率、通常为 50 kHz/50V
优化用于高性能计时应用、例如 TOF - PET
3 mm 、 4 mm 和 6 mm 传感器尺寸
偏压电<压为 30 V
在 420 nm 时产生 50% 光子检测效率（ PDE ）
改善了信号上升时间和微单元恢复时间
无需主动电压控制
行业领先的一致性
TSV 封装可产生几乎零死空间、允许创建高填充因子阵列、并且不含铁金属
应用
医疗成像
危险和威胁
3D 范围和传感
生物技术与科学
高能物理