Infineon EVAL_3K3W_BIDI_PSFB, 直流-直流转换器 评估测试板
- RS 库存编号:
- 214-1993
- 制造商零件编号:
- EVAL3K3WBIDIPSFBTOBO1
- 制造商:
- Infineon
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- RS 库存编号:
- 214-1993
- 制造商零件编号:
- EVAL3K3WBIDIPSFBTOBO1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 电源管理功能 | 直流-直流转换器 | |
| 适用于 | 工业、电源 | |
| 套件分类 | 评估测试板 | |
| 套件名称 | EVAL_3K3W_BIDI_PSFB | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
电源管理功能 直流-直流转换器 | ||
适用于 工业、电源 | ||
套件分类 评估测试板 | ||
套件名称 EVAL_3K3W_BIDI_PSFB | ||
不符合
3300W 54V 双向相位移位全桥 (PSFB) 评估板,带 600V CoolMOSTM CFD7 和 XMCTM
此评估板引入了高效的完整 Infineon 系统解决方案,用于 3300W 双向直流-直流转换器,针对电信、电池成形电源和工业机器人应用。
Infineon 的 600V CoolMOSTM CFD7 超联接 MOSFET 采用 ThinPAK 封装,是最新且性能最佳的快速主体二极管器件。结合低寄生性封装和优化布局,它可在最小应力下实现出色的性能。此板提供的创新型冷却概念使其具有出色的性能。
此板在降压模式下可实现 98% 的效率,在升压模式下可实现 97% 的效率。实现的功率密度在 4.34W/cm3 (71.19W/in3) 范围内,通过使用 SMD 封装和创新式堆叠磁性结构实现。
Infineon 的 600V CoolMOSTM CFD7 超联接 MOSFET 采用 ThinPAK 封装,是最新且性能最佳的快速主体二极管器件。结合低寄生性封装和优化布局,它可在最小应力下实现出色的性能。此板提供的创新型冷却概念使其具有出色的性能。
此板在降压模式下可实现 98% 的效率,在升压模式下可实现 97% 的效率。实现的功率密度在 4.34W/cm3 (71.19W/in3) 范围内,通过使用 SMD 封装和创新式堆叠磁性结构实现。
结合 Infineon 的最新技术,这款直流-直流转换器可证明 PSFB 设计的可行性和高效性在完全共振 topology 级别上。
EVAL_3K3W_BIDI_PSFB 还显示了 PSFB 位置学可用作双向直流-直流级别,而不会改变传统和众所周知的位置学的标准设计或结构。这得益于由数字控制和 XMCTM 微控制器供电的控制技术的创新。
EVAL_3K3W_BIDI_PSFB 还显示了 PSFB 位置学可用作双向直流-直流级别,而不会改变传统和众所周知的位置学的标准设计或结构。这得益于由数字控制和 XMCTM 微控制器供电的控制技术的创新。
功能摘要
• 高效 PSFB
• 高功率密度 PSFB
• 双向 PSFB
• 数字控制 PSFB
• 新型集成磁性概念
• 新型 SMD 冷却概念
• 高功率密度 PSFB
• 双向 PSFB
• 数字控制 PSFB
• 新型集成磁性概念
• 新型 SMD 冷却概念
优势汇总
• Infineon 的最佳和最新快速主体二极管 HV 技术
• Infineon 的最佳和最新 LV 同步整流器技术
• PSFB 的双向功能(专利)
• 新型集成磁性概念
• 新型 SMD 冷却概念
• Infineon 的最佳和最新 LV 同步整流器技术
• PSFB 的双向功能(专利)
• 新型集成磁性概念
• 新型 SMD 冷却概念
组件清单
• 600V CoolMOS™ CFD7 超级结 MOSFET (IPL60R075CFD7) 222-4912
• CoolSiC™ 肖特基二极管 650V G6 (IDH08G65C6) 216-8382
• 800V CoolMOS™ 超级结 MOSFET (IPU80R4K5P7) 222-4717
• 150V OptiMOS™ 5 功率 MOSFET，采用超级 SO-8 封装 (BSC093N15NS5) 214-4325
• EiceDRIVER™ 2EDS 隔离栅极驱动器 IC (2EDS8265H) 258-0627
• EiceDRIVER™ 2EDF 隔离栅极驱动器 IC (2EDF7275F) 244-0940
• 准谐振反激式 PWM 控制器（ICE5QSAG）
• 中功率 AF 肖特基二极管 (BAT165) 249-6997
• 直流电压降压调节器(IFX91041EJV33)
• CoolSiC™ 肖特基二极管 650V G6 (IDH08G65C6) 216-8382
• 800V CoolMOS™ 超级结 MOSFET (IPU80R4K5P7) 222-4717
• 150V OptiMOS™ 5 功率 MOSFET，采用超级 SO-8 封装 (BSC093N15NS5) 214-4325
• EiceDRIVER™ 2EDS 隔离栅极驱动器 IC (2EDS8265H) 258-0627
• EiceDRIVER™ 2EDF 隔离栅极驱动器 IC (2EDF7275F) 244-0940
• 准谐振反激式 PWM 控制器（ICE5QSAG）
• 中功率 AF 肖特基二极管 (BAT165) 249-6997
• 直流电压降压调节器(IFX91041EJV33)