Infineon EVAL-1ED3491MX12M 采用半桥配置，带两个栅极驱动器 IC (1ED3491MU12M) ，用于驱动功率开关，如 Si MOSFET ， IGBT 和 SiC MOSFET。开关类型可自由选择。该板的尺寸为 85 x 55 x 15 mm ，无需组装任何电源开关。建议使用 TRENCHSTOP IGBT IKW40N120H3 或 CoolSiC MOSFET IMW120R030M1H。该板最适合用于双脉冲测试和评估。低电压电源接口可由脉冲发生器，微控制器或任何其他合适的数字电路控制。该评估板具有用于实施的初级和次级侧的电源。
在 160 °C (±10 °C) 时过温关闭 紧密的 IC 到 IC 传播延迟匹配 (最大 30 ns) 高共模瞬时抗扰 >μs 200 kV/ μ s 适用于在高达 125 °C 的高温环境下操作 由于外部元件数较少，因此可实现快速设计周期，并且仍然提供带软关闭功能的可调式去饱和
