Infineon , MOSFET栅极驱动器 评估测试板, 1ED3491MX12M芯片
- RS 库存编号:
- 225-1576
- 制造商零件编号:
- EVAL1ED3491MX12MTOBO1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 |
|---|---|
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| 10 + | RMB739.05 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 225-1576
- 制造商零件编号:
- EVAL1ED3491MX12MTOBO1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 电源管理功能 | MOSFET栅极驱动器 | |
| 适用于 | 电机 | |
| 套件分类 | 评估测试板 | |
| 功能完备的设备 | 1ED3491MX12M | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
电源管理功能 MOSFET栅极驱动器 | ||
适用于 电机 | ||
套件分类 评估测试板 | ||
功能完备的设备 1ED3491MX12M | ||
- COO (Country of Origin):
- DE
Infineon EVAL-1ED3491MX12M 采用半桥配置，带两个栅极驱动器 IC (1ED3491MU12M) ，用于驱动功率开关，如 Si MOSFET ， IGBT 和 SiC MOSFET。开关类型可自由选择。该板的尺寸为 85 x 55 x 15 mm ，无需组装任何电源开关。建议使用 TRENCHSTOP IGBT IKW40N120H3 或 CoolSiC MOSFET IMW120R030M1H。该板最适合用于双脉冲测试和评估。低电压电源接口可由脉冲发生器，微控制器或任何其他合适的数字电路控制。该评估板具有用于实施的初级和次级侧的电源。
在 160 °C (±10 °C) 时过温关闭
紧密的 IC 到 IC 传播延迟匹配 (最大 30 ns)
高共模瞬时抗扰 >μs 200 kV/ μ s
适用于在高达 125 °C 的高温环境下操作
由于外部元件数较少，因此可实现快速设计周期，并且仍然提供带软关闭功能的可调式去饱和
紧密的 IC 到 IC 传播延迟匹配 (最大 30 ns)
高共模瞬时抗扰 >μs 200 kV/ μ s
适用于在高达 125 °C 的高温环境下操作
由于外部元件数较少，因此可实现快速设计周期，并且仍然提供带软关闭功能的可调式去饱和
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