onsemi 带去饱和检测和隔离故障传感的IGBT驱动光耦合器, 光转接头 驱动器板, 开发板, FOD8316芯片, 用于开发工业逆变器
- RS 库存编号:
- 248-5358
- 制造商零件编号:
- FEBFOD8316-GEVB
- 制造商:
- onsemi
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- 制造商零件编号:
- FEBFOD8316-GEVB
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 电源管理功能 | 光转接头 | |
| 产品类型 | 评估测试板 | |
| 使用于 | 工业逆变器 | |
| 套件分类 | 驱动器板, 开发板 | |
| 功能完备的设备 | FOD8316 | |
| 套件名称 | 带去饱和检测和隔离故障传感的IGBT驱动光耦合器 | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
电源管理功能 光转接头 | ||
产品类型 评估测试板 | ||
使用于 工业逆变器 | ||
套件分类 驱动器板, 开发板 | ||
功能完备的设备 FOD8316 | ||
套件名称 带去饱和检测和隔离故障传感的IGBT驱动光耦合器 | ||
标准/认证 RoHS | ||
ON Semiconductor 2.5 A 输出电流、IGBT 驱动光耦合器具备去饱和检测和隔离故障感应功能，它非常适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用的功率 IGBT 和 MOSFET 的快速开关驱动，并且可提供防止导致 IGBT 破坏性热失控的故障条件所需具备的关键保护功能。它包含一个集成的栅极驱动光耦合器，该器件位于紧凑的 16 引脚的小出线塑料封装内，满足 8 毫米爬电和间隙要求。
高抗噪性，最小 35 kV/μs 的共模抑制，VCM-1500 VPEAK
2.5 峰值输出电流驱动能力，适用于大多数 1200 V/150 A IGBT
光学隔离故障感应反馈
内置 IGBT 保护
去饱和检测
欠电压锁定保护
宽电源电压范围：15 V 至 30 V
输出电压摆幅接近供电轨
3.3 V/5 V，CMOS/TTL 兼容输入
高速
在整个工作温度范围内的最大传播延迟为 250 ns
扩展的工业温度范围：-40°C 至 100°C