Renesas Electronics , 半桥式驱动器 评估测试板
- RS 库存编号:
- 249-8414
- 制造商零件编号:
- HIP2211EVAL2Z
- 制造商:
- Renesas Electronics
小计（1 件）*
¥582.31
(不含税)
¥658.01
(含税)
最后的 RS 库存
- 最终 1 个，准备发货
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 + | RMB582.31 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 249-8414
- 制造商零件编号:
- HIP2211EVAL2Z
- 制造商:
- Renesas Electronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Renesas Electronics | |
| 产品类型 | 评估测试板 | |
| 电源管理功能 | 半桥式驱动器 | |
| 套件分类 | 评估测试板 | |
| 标准/认证 | No | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Renesas Electronics | ||
产品类型 评估测试板 | ||
电源管理功能 半桥式驱动器 | ||
套件分类 评估测试板 | ||
标准/认证 No | ||
Renesas Electronics 板设计用于提供快速全面的方法，来评估在半桥配置中驱动两个 N 通道 MOSFET 的 HIP2211 100V 高频半桥驱动器。评估板上有两个 N 通道 MOSFET（通过双重空间支持多个封装，如 TO220 和 DPAK）和电感器-电容器 LC 滤波器，可评估半桥驱动负载，如同步降压开关稳压器。HIP2211 半桥驱动器提供 8 Ld SOIC、8 Ld DFN 或 10 Ld DFN 封装（带增强型热 EPAD）。此评估板设计用于 10 Ld DFN 封装。8 Ld DFN 封装也可安装在该板上。这两种板的工作电源电压均为 6V 至 18V 直流，可在 100V 半桥配置下驱动高侧和低侧 MOSFET。
3A 源极和 4A 汇极 NMOS 栅极驱动器
用于高侧 NFET 上栅极驱动器的内部电平转换器和自举二极管
高达 100V 的高侧自举二极管参考
6V 至 18V 偏置电源操作
快速 15ns 典型传播延迟和 2ns 典型传播延迟匹配，支持高达 1MHz 操作