Renesas Electronics 评估测试板, 半桥式驱动器 开发套件, 用于开发HIP2210
- RS 库存编号:
- 250-6589
- 制造商零件编号:
- HIP2210EVAL1Z
- 制造商:
- Renesas Electronics
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 + | RMB666.50 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 250-6589
- 制造商零件编号:
- HIP2210EVAL1Z
- 制造商:
- Renesas Electronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Renesas Electronics | |
| 产品类型 | 评估测试板 | |
| 电源管理功能 | 半桥式驱动器 | |
| 使用于 | HIP2210 | |
| 套件分类 | 开发套件 | |
| 套件名称 | 评估测试板 | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Renesas Electronics | ||
产品类型 评估测试板 | ||
电源管理功能 半桥式驱动器 | ||
使用于 HIP2210 | ||
套件分类 开发套件 | ||
套件名称 评估测试板 | ||
标准/认证 RoHS | ||
Renesas 评估板设计用于提供快速全面的方法，来评估 MOSFET 的 HIP2210 100 V，3 A 拉电流，4 A 灌电流的高频半桥驱动器，用于驱动半桥配置中两个 N 沟道 MOSFET 的栅极。评估板上有两个 N 通道 MOSFET（通过双重空间支持多个封装，如 TO220 和 DPAK）和电感器-电容器 LC 滤波器，可评估半桥驱动负载，如同步降压开关稳压器。
用于高侧 NFET 上栅极驱动器的内部电平转换器和自举二极管
高达 100 V 的高侧自举二极管参考
6 V 至 18 V 偏置电源操作
快速 15 ns 典型传播延迟和 2 ns 典型传播延迟匹配，支持高达 1 MHz 操作