Infineon REF-DAB11KIZSICSYS, 直流-直流转换器 转化器模块, IMZ120R030M1H芯片
- RS 库存编号:
- 273-2039
- 制造商零件编号:
- REFDAB11KIZSICSYSTOBO1
- 制造商:
- Infineon
小计（1 件）*
¥18,402.42
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(含税)
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 + | RMB18,402.42 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 273-2039
- 制造商零件编号:
- REFDAB11KIZSICSYSTOBO1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 电源管理功能 | 直流-直流转换器 | |
| 适用于 | 充电壁装盒 | |
| 套件分类 | 转化器模块 | |
| 功能完备的设备 | IMZ120R030M1H | |
| 套件名称 | REF-DAB11KIZSICSYS | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
电源管理功能 直流-直流转换器 | ||
适用于 充电壁装盒 | ||
套件分类 转化器模块 | ||
功能完备的设备 IMZ120R030M1H | ||
套件名称 REF-DAB11KIZSICSYS | ||
11 kW SiC 双向直流/直流转换器板,用于 EV 充电和 ESS 应用
REF-DAB11KIZSICSYS 是 CLLC 共振直流/直流转换器板,可在 800 V 输出电压下提供高达 11 kW 的功率。凭借其高效双向功率流量能力和软切换特性,它是加快任何 EV 和 ESS 充电器项目的快速原型设计的理想结构块。
此参考设计提供一套完整的设计文件,基于完全特性化的硬件(尚未出售)。它证明 CoolSiCTM MOSFET,如由 1EDC20I12AH 驱动的特色 IMZ120R030M1H,是完美的选择,可将经济实惠的功率密度与最高可靠性结合在一起。
此参考设计提供一套完整的设计文件,基于完全特性化的硬件(尚未出售)。它证明 CoolSiCTM MOSFET,如由 1EDC20I12AH 驱动的特色 IMZ120R030M1H,是完美的选择,可将经济实惠的功率密度与最高可靠性结合在一起。
功能摘要
11kW 在全输出电压范围
双向功率流量能力
高峰值效率 >= 97.2%
高功率密度:4.1 kW/l
同步整流
1200 V 和 1700 V CoolSiCTM MOSFET
双向功率流量能力
高峰值效率 >= 97.2%
高功率密度:4.1 kW/l
同步整流
1200 V 和 1700 V CoolSiCTM MOSFET
福利
特别适用于直流 EV 充电壁装盒和能量存储系统的 DCDC 转换器
为最终客户提供有吸引力的商业模式(V2G 和 V2B)
在任何充电和放电循环期间,损耗最小
小尺寸和重量,易于安装
在系统级别,每千瓦低成本
为最终客户提供有吸引力的商业模式(V2G 和 V2B)
在任何充电和放电循环期间,损耗最小
小尺寸和重量,易于安装
在系统级别,每千瓦低成本
参数 REF-DAB11KIZSICSYS
板类型 参考板
尺寸 60x134x331 mm
系列 CoolSiCTM MOSFET
输入类型 直流
输出电流 最大 20 A
输出电压 最大 800 V
插孔 最大 11000 W
产品描述 11kW SiC 双向直流-直流转换器参考值标志,用于充电和 ESS 应用
产品名称 REF-DAB11KIZSICSYS
资格 工业
子应用 30 kW 至 150 kW 的充电器;电源转换系统
目标应用 EV 充电器;能量存储;医疗
拓扑 LLC
板类型 参考板
尺寸 60x134x331 mm
系列 CoolSiCTM MOSFET
输入类型 直流
输出电流 最大 20 A
输出电压 最大 800 V
插孔 最大 11000 W
产品描述 11kW SiC 双向直流-直流转换器参考值标志,用于充电和 ESS 应用
产品名称 REF-DAB11KIZSICSYS
资格 工业
子应用 30 kW 至 150 kW 的充电器;电源转换系统
目标应用 EV 充电器;能量存储;医疗
拓扑 LLC