该子板属于评估板系列，可与 2ED2410-EM 24 V 评估主板 (EB 2ED2410 3M) 组合。这些子板用于处理现代汽车配电中常见的不同 MOSFET 和分流安排，适合于 12 V 和 24 V 板网。

该子板 EB 2ED2410 3D 1BCDP 采用背靠背共漏极配置，由两个 60 V OptiMOSTM5 功率 MOSFET (1.1 mOhm) 组成，可处理一个负载通道。此外，可以使用专门的预充电路径对负载进行预充电。

• EB 2ED2410 3D 1BCS：60 V OptiMOSTM5 功率 MOSFET（1.1 mOhm），背靠背 - 共源极，0.5 mOhm 分流

• EB 2ED2410 3D 1BCD：60 V OptiMOSTM5 功率 MOSFET（1.1 mOhm），背靠背 - 共漏极，0.5 mOhm 分流

• EB 2ED2410 3D 1BCSP：60 V OptiMOSTM5 功率 MOSFET（1.1 mOhm），背靠背 - 共源极，0.5 mOhm 分流，预充电

• 适用于 12 和 24 V 板网

• 与 2ED2410-EM 24 V 评估主板 (EB 2ED2410 3M) 组合

• 0.5 mΩ 分流电阻

• 60 V OptiMOSTM5 功率 MOSFET (1.1 Ohm)，适用于 12 和 24 V 板网

• MOSFET 温度监控，带 NTC 电阻器

• 专用预充电路径，用于高输入电容的负载

• 标称电流高达 20 A（连续）或 30 A（10 分钟）

	选择全部
	品牌 Infineon
	产品类型栅极驱动器模块
	电源管理功能 MOSFET
	使用于 2ED2410-EM 24 V 评估主板
	套件分类评估测试板
	功能完备的设备 Power MOSFET, Gate Driver
	套件名称 EB 2ED2410 3D 1BCDP
	标准/认证 RoHS

Infineon EB 2ED2410 3D 1BCDP, MOSFET 评估测试板, Power MOSFET, Gate Driver芯片, 用于开发2ED2410-EM 24 V 评估主板