Infineon EB 2ED2410 3D 1BCSP, MOSFET栅极驱动器 评估测试板, Gate Driver, Power MOSFET芯片

此子板属于评估板系列,可与 2ED2410-EM 24 V 评估主板 (EB 2ED2410 3M) 组合。这些子板用于处理 12 和 24 V 板电网的现代汽车电源分配中典型的不同 MOSFET 和分流配置。

此子板 EB 2ED2410 3D 1BCDP 适用于单个负载通道,包含两个 60 V OptiMOSTM5 功率 MOSFET (1.1 mΩ),采用 back2back 共用源配置。此外,负载可使用专用的预充电路径进行预充电。

• EB 2ED2410 3D 1BCS:60 V OptiMOSTM5 电源 MOSFET (1.1 mOhm), 背2背 - 通用源, 0.5 mOhm shunt 电源:1.1 mOhm, 0.5 mOhm shunt, 0.5 mOhm shunt, 0.5 mOhm shunt, 0.5 mOhm shunt, 0.5 mOhm shunt, 0.5 mOhm shunt, 0.5 mOhm shunt, 0.5 mOhm shunt, 0.5 mOhm shunt, 0.5 mOhm shunt, 0.5 mOhm shunt, 0.5 mOhm shunt, 0.5 m

• EB 2ED2410 3D 1BCD:60 V OptiMOSTM5 電源 MOSFET (1.1 mOhm),背面2背面 - 通用排水,0.5 mOhm 溫度溫度溫度溫度溫度溫度溫度溫度溫度溫度溫度溫度溫度溫度溫度溫度溫度溫度溫度溫度溫度溫度溫度溫度溫度溫度溫度溫度溫度溫度溫度溫度溫度溫度

• EB 2ED2410 3D 1BCDP:60 V OptiMOSTM5 电源 MOSFET (1.1 mOhm),背2背 - 通用排水,0.5 mOhm 搅拌,有预充电

• 适用于 12 和 24 V 板电网

• 与 2ED2410-EM 24 V 评估主板 (EB 2ED2410 3M) 组合

• 0.5 mΩ 分流电阻器

• 60 V OptiMOSTM5 功率 MOSFET (1.1 Ω),适用于 12 和 24 V 板电网

• MOSFET 温度监控,带 NTC 电阻器

• 专用预充电路径,用于具有高输入电容的负载

• 额定电流高达 20 A 连续或 30 A 10 分钟