EiceDRIVERTM APD 2ED2410-EM - 24 V 评估 MOSFET 子板,通用源,预充电

此子板属于评估板系列,可与 2ED2410-EM 24 V 评估主板 (EB 2ED2410 3M) 组合。这些子板用于处理 12 和 24 V 板电网的现代汽车电源分配中典型的不同 MOSFET 和分流配置。

此子板 EB 2ED2410 3D 1BCDP 适用于单个负载通道,包含两个 60 V OptiMOSTM5 功率 MOSFET (1.1 mΩ),采用 back2back 共用源配置。此外,负载可使用专用的预充电路径进行预充电。

以下其他子板提供:

• EB 2ED2410 3D 1BCS:60 V OptiMOSTM5 电源 MOSFET (1.1 mOhm), 背2背 - 通用源, 0.5 mOhm shunt 电源:1.1 mOhm, 0.5 mOhm shunt, 0.5 mOhm shunt, 0.5 mOhm shunt, 0.5 mOhm shunt, 0.5 mOhm shunt, 0.5 mOhm shunt, 0.5 mOhm shunt, 0.5 mOhm shunt, 0.5 mOhm shunt, 0.5 mOhm shunt, 0.5 mOhm shunt, 0.5 mOhm shunt, 0.5 m

• EB 2ED2410 3D 1BCD:60 V OptiMOSTM5 電源 MOSFET (1.1 mOhm),背面2背面 - 通用排水,0.5 mOhm 溫度溫度溫度溫度溫度溫度溫度溫度溫度溫度溫度溫度溫度溫度溫度溫度溫度溫度溫度溫度溫度溫度溫度溫度溫度溫度溫度溫度溫度溫度溫度溫度溫度溫度

• EB 2ED2410 3D 1BCDP:60 V OptiMOSTM5 电源 MOSFET (1.1 mOhm),背2背 - 通用排水,0.5 mOhm 搅拌,有预充电

功能摘要

• 适用于 12 和 24 V 板电网

• 与 2ED2410-EM 24 V 评估主板 (EB 2ED2410 3M) 组合

• 0.5 mΩ 分流电阻器

• 60 V OptiMOSTM5 功率 MOSFET (1.1 Ω),适用于 12 和 24 V 板电网

• MOSFET 温度监控,带 NTC 电阻器

• 专用预充电路径,用于具有高输入电容的负载

• 额定电流高达 20 A 连续或 30 A 10 分钟

选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	电源管理功能	MOSFET栅极驱动器
	适用于	2ED2410-EM 24 V 评估主板
	套件分类	评估测试板
	功能完备的设备	Gate Driver, Power MOSFET
	套件名称	EB 2ED2410 3D 1BCSP

	选择全部
	品牌 Infineon
	电源管理功能 MOSFET栅极驱动器
	适用于 2ED2410-EM 24 V 评估主板
	套件分类评估测试板
	功能完备的设备 Gate Driver, Power MOSFET
	套件名称 EB 2ED2410 3D 1BCSP

Infineon EB 2ED2410 3D 1BCSP, MOSFET栅极驱动器评估测试板, Gate Driver, Power MOSFET芯片

EiceDRIVERTM APD 2ED2410-EM - 24 V 评估 MOSFET 子板,通用源,预充电

以下其他子板提供:

功能摘要

该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。

Infineon EB 2ED2410 3D 1BCSP, MOSFET栅极驱动器 评估测试板, Gate Driver, Power MOSFET芯片

EiceDRIVERTM APD 2ED2410-EM - 24 V 评估 MOSFET 子板,通用源,预充电

以下其他子板提供:

功能摘要

该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。

Infineon EB 2ED2410 3D 1BCSP, MOSFET栅极驱动器评估测试板, Gate Driver, Power MOSFET芯片