STMicroelectronics 高侧开关电源芯片, 3.5mA, 21 V, 18引脚
- RS 库存编号:
- 330-242P
- 制造商零件编号:
- STDRIVEG611QTR
- 制造商:
- STMicroelectronics
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 10 - 99 | RMB20.92 |
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| 500 - 999 | RMB17.90 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 330-242P
- 制造商零件编号:
- STDRIVEG611QTR
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 电源开关类型 | 高侧 | |
| 电源开关拓扑 | 高侧 | |
| 最大工作电源电压 | 21 V | |
| 最大工作电流 | 3.5mA | |
| 封装类型 | QFN | |
| 引脚数目 | 18 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
电源开关类型 高侧 | ||
电源开关拓扑 高侧 | ||
最大工作电源电压 21 V | ||
最大工作电流 3.5mA | ||
封装类型 QFN | ||
引脚数目 18 | ||
- COO (Country of Origin):
- TH
意法半导体用于氮化镓功率开关的高压高速半桥栅极驱动器是一款用于 N 沟道增强型氮化镓的高压半桥栅极驱动器。高压侧驱动器部分可承受高达 600 V 的电压轨，并可通过集成的自举二极管轻松供电。STDRIVEG611 电流能力强、传播延迟短且延迟匹配出色，再加上集成的 LDO，使其成为驱动高速 GaN 的最佳选择。
用于 6 V 栅极驱动电压的高压侧和低压侧线性稳压器
快速高压侧启动时间 5 μs
45 ns 传播延迟 15 ns 最小输出脉冲
开关频率高（大于 1 MHz）
嵌入式 600 V 自举二极管
完全支持氮化镓硬开关操作
用于过流检测的比较器，带智能关机功能
VCC、VHS 和 VLS 上的 UVLO 功能
独立的逻辑输入和关机引脚
故障引脚，用于报告过流、过热和 UVLO
待机功能可实现低耗电模式
快速高压侧启动时间 5 μs
45 ns 传播延迟 15 ns 最小输出脉冲
开关频率高（大于 1 MHz）
嵌入式 600 V 自举二极管
完全支持氮化镓硬开关操作
用于过流检测的比较器，带智能关机功能
VCC、VHS 和 VLS 上的 UVLO 功能
独立的逻辑输入和关机引脚
故障引脚，用于报告过流、过热和 UVLO
待机功能可实现低耗电模式