STMicroelectronics 低侧开关电源芯片, 10A, 32V, 3输出, 16引脚
- RS 库存编号:
- 330-346
- 制造商零件编号:
- STGAP3SXS
- 制造商:
- STMicroelectronics
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单位 | 每单位 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 330-346
- 制造商零件编号:
- STGAP3SXS
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 电源开关类型 | 低侧 | |
| 电源开关拓扑 | 低侧 | |
| 最大工作电源电压 | 32V | |
| 最大工作电流 | 10A | |
| 输出数目 | 3 | |
| 封装类型 | SO-16W | |
| 引脚数目 | 16 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
电源开关类型 低侧 | ||
电源开关拓扑 低侧 | ||
最大工作电源电压 32V | ||
最大工作电流 10A | ||
输出数目 3 | ||
封装类型 SO-16W | ||
引脚数目 16 | ||
- COO (Country of Origin):
- TW
STMicroelectronics 用于 IGBT 的电隔离栅极驱动器具有 6 A 源电流或灌电流、去饱和保护和可调 SOFTOFF 功能，是一个受保护的单栅极驱动器系列，设计用于在栅极驱动通道与低压控制和接口电路之间提供电隔离。该平台提供具有 10 A 和 6 A 电流能力的不同选项，并为 SiC MOSFET 和 IGBT 提供专用的 UVLO 变体。此外，该驱动器还具有超快去饱和保护功能，具有不同的干预阈值和可调节的软关断功能。
高达 1200 V 的高压轨道
75 ns 输入-输出传播延迟
用于外部 N 沟道 MOSFET 的米勒 CLAMP 驱动器 0.3 A 源或 0.5 A 灌
可调节的软关闭功能
VDD UVLO
VH UVLO IGBT 和 SiC 变体
去饱和保护 IGBT 和 SiC 变体
75 ns 输入-输出传播延迟
用于外部 N 沟道 MOSFET 的米勒 CLAMP 驱动器 0.3 A 源或 0.5 A 灌
可调节的软关闭功能
VDD UVLO
VH UVLO IGBT 和 SiC 变体
去饱和保护 IGBT 和 SiC 变体