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单位 | 每单位 | Per Tape* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | RMB104.385 | RMB208.77 |
| 10 + | RMB101.275 | RMB202.55 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 646-596
- 制造商零件编号:
- BM3G005MUV-LBE2
- 制造商:
- ROHM
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ROHM | |
| 电源开关拓扑 | 高侧 | |
| 电源开关类型 | 高侧 | |
| 最大工作电源电压 | 650 V | |
| 最大工作电流 | 2.2mA | |
| 封装类型 | VQFN046V8080 | |
| 引脚数目 | 46 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ROHM | ||
电源开关拓扑 高侧 | ||
电源开关类型 高侧 | ||
最大工作电源电压 650 V | ||
最大工作电流 2.2mA | ||
封装类型 VQFN046V8080 | ||
引脚数目 46 | ||
ROHM GaN HEMT 电源阶段是设计用于工业设备市场的高性能产品,为需要高功率密度和效率的电子系统提供最佳解决方案。通过将 650V 增强型 GaN HEMT 和硅驱动器集成到 ROHM 的原始封装中,与传统分离式解决方案相比,该产品可显著减少印刷电路板和电线粘结引起的寄生电感。此创新可实现高达 150V/ns 的高切换滑动率,使其成为要求快速切换和卓越效率的应用的理想选择。
低 VDD 静态和工作电流
低传播延迟
高 dv/dt 抗扰度
可调节闸门驱动强度
电源良好信号输出
VDD UVLO 保护
热关闭保护
低传播延迟
高 dv/dt 抗扰度
可调节闸门驱动强度
电源良好信号输出
VDD UVLO 保护
热关闭保护