ROHM 高侧, BM3G005MUV-LBE2 开关电源芯片 高侧, 46引脚, VQFN046V8080封装
- RS 库存编号:
- 646-596
- 制造商零件编号:
- BM3G005MUV-LBE2
- 制造商:
- ROHM
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- 646-596
- 制造商零件编号:
- BM3G005MUV-LBE2
- 制造商:
- ROHM
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ROHM | |
| 电源开关类型 | 高侧 | |
| 产品类型 | 开关电源芯片 | |
| 电源开关拓扑 | 高侧 | |
| 导通电阻 RdsOn | 50mΩ | |
| 最低电源电压 | 6.83V | |
| 包装类型 | VQFN046V8080 | |
| 最大电源电压 | 650V | |
| 引脚数目 | 46 | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 工作电流 | 2.2mA | |
| 最高工作温度 | 105°C | |
| 长度 | 8mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 高度 | 1.0mm | |
| 宽度 | 8.0 mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 系列 | BM3G005MUV-LB | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ROHM | ||
电源开关类型 高侧 | ||
产品类型 开关电源芯片 | ||
电源开关拓扑 高侧 | ||
导通电阻 RdsOn 50mΩ | ||
最低电源电压 6.83V | ||
包装类型 VQFN046V8080 | ||
最大电源电压 650V | ||
引脚数目 46 | ||
最低工作温度 -40°C | ||
工作电流 2.2mA | ||
最高工作温度 105°C | ||
长度 8mm | ||
标准/认证 No | ||
高度 1.0mm | ||
宽度 8.0 mm | ||
汽车标准 否 | ||
系列 BM3G005MUV-LB | ||
ROHM GaN HEMT 电源阶段是设计用于工业设备市场的高性能产品,为需要高功率密度和效率的电子系统提供最佳解决方案。通过将 650V 增强型 GaN HEMT 和硅驱动器集成到 ROHM 的原始封装中,与传统分离式解决方案相比,该产品可显著减少印刷电路板和电线粘结引起的寄生电感。此创新可实现高达 150V/ns 的高切换滑动率,使其成为要求快速切换和卓越效率的应用的理想选择。
低 VDD 静态和工作电流
低传播延迟
高 dv/dt 抗扰度
可调节闸门驱动强度
电源良好信号输出
VDD UVLO 保护
热关闭保护