Nisshinbo Micro Devices 高侧 1 开关电源芯片, 2输出 高侧, 5引脚, 660 mW, 表面安装, SOT-23-5封装
- RS 库存编号:
- 803-193P
- 制造商零件编号:
- R5523N001B-TR-FE
- 制造商:
- Nisshinbo Micro Devices
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单位 | 每单位 |
|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 803-193P
- 制造商零件编号:
- R5523N001B-TR-FE
- 制造商:
- Nisshinbo Micro Devices
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Nisshinbo Micro Devices | |
| 产品类型 | 开关电源芯片 | |
| 电源开关拓扑 | 高侧 | |
| 电源开关类型 | 高侧 | |
| 导通电阻 RdsOn | 130mΩ | |
| 输出数目 | 2 | |
| 额定功率 | 660mW | |
| 输入数目 | 1 | |
| 接口类型 | 漏极开路输出 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 最低电源电压 | 2.2V | |
| 包装类型 | SOT-23-5 | |
| 引脚数目 | 5 | |
| 最大电源电压 | 6.5V | |
| 工作电流 | 20μA | |
| 最高工作温度 | 85°C | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 高度 | 1.1mm | |
| 系列 | R5523N | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Nisshinbo Micro Devices | ||
产品类型 开关电源芯片 | ||
电源开关拓扑 高侧 | ||
电源开关类型 高侧 | ||
导通电阻 RdsOn 130mΩ | ||
输出数目 2 | ||
额定功率 660mW | ||
输入数目 1 | ||
接口类型 漏极开路输出 | ||
安装类型 表面 | ||
最低电源电压 2.2V | ||
包装类型 SOT-23-5 | ||
引脚数目 5 | ||
最大电源电压 6.5V | ||
工作电流 20μA | ||
最高工作温度 85°C | ||
最低工作温度 -40°C | ||
高度 1.1mm | ||
系列 R5523N | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- JP
Nisshinbo Micro Devices高侧电源开关专为USB应用而设计,具有低导通电阻和内置保护功能,提供卓越性能,确保在紧凑型设计中实现高效的电源管理。
内置 P 通道 MOSFET 开关,提供高效操作
低电源电流,典型值为 20μA,可优化能效
典型开关接通电阻为 130 mΩ,有助于减少功率损耗
最小输出电流为 500 mA,支持多个 USB 设备