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单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 2500 - 5000 | RMB7.364 | RMB18,410.00 |
| 7500 - 10000 | RMB7.217 | RMB18,042.50 |
| 12500 + | RMB7.073 | RMB17,682.50 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 229-6432
- 制造商零件编号:
- NCV8412ADDR2G
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 电源开关拓扑 | 低侧 | |
| 电源开关类型 | 低侧 | |
| 开关接通电阻值 | 145mΩ | |
| 最大工作电源电压 | 42 V | |
| 输出数目 | 2 | |
| 最大工作电流 | 5.9A | |
| 封装类型 | SOIC | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
电源开关拓扑 低侧 | ||
电源开关类型 低侧 | ||
开关接通电阻值 145mΩ | ||
最大工作电源电压 42 V | ||
输出数目 2 | ||
最大工作电流 5.9A | ||
封装类型 SOIC | ||
引脚数目 8 | ||
ON Semiconductor NCV8412 系列是三个 Terminal 保护低侧智能分离式 FET。保护功能包括 Delta 热关闭，过电流，过温， ESD 和集成漏极到栅极夹，用于提供过电压保护。该设备还通过栅极引脚提供故障指示。 此设备适用于恶劣的汽车环境。
更高的可靠性和损坏预防
同类最佳的 RSC 性能
模拟驱动能力
无铅
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