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小计（1 卷，共 2500 件）*
¥14,775.00
(不含税)
¥16,700.00
(含税)
库存信息目前无法查询
单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | RMB5.91 | RMB14,775.00 |
| 5000 + | RMB5.776 | RMB14,440.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 246-3883
- 制造商零件编号:
- BV1HAL45EFJ-E2
- 制造商:
- ROHM
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ROHM | |
| 电源开关拓扑 | 高侧 | |
| 电源开关类型 | 高侧 | |
| 开关接通电阻值 | 45mΩ | |
| 通道数目 | 1 | |
| 最大工作电源电压 | 34 V | |
| 输出数目 | 2 | |
| 最大工作电流 | 3.5mA | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ROHM | ||
电源开关拓扑 高侧 | ||
电源开关类型 高侧 | ||
开关接通电阻值 45mΩ | ||
通道数目 1 | ||
最大工作电源电压 34 V | ||
输出数目 2 | ||
最大工作电流 3.5mA | ||
ROHM BV1 系列是单 N 沟道 MOSFET 高侧负载开关，可在 8.0 V 至 32.0 V 的输入电压范围内工作，具有内置过电流保护，热关闭保护和软启动功能，采用 HTSOP-J8 封装。此负载开关用于多功能机器，电视，各种电源线路的过电流监控和电源管理应用。
双 TSD
低接通电阻单 N 沟道 MOSFET 开关
可变输出软启动时间
过电流保护功能 (闭锁)
热关闭保护功能 (TSD)
低电压输出关闭功能 (UVLO)
错误标志通知 PIN
低接通电阻单 N 沟道 MOSFET 开关
可变输出软启动时间
过电流保护功能 (闭锁)
热关闭保护功能 (TSD)
低电压输出关闭功能 (UVLO)
错误标志通知 PIN