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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 10 - 95 | RMB7.836 |
| 100 - 245 | RMB7.446 |
| 250 - 495 | RMB7.074 |
| 500 + | RMB6.72 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 250-0578P
- 制造商零件编号:
- BTS3207NHUMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 电源开关拓扑 | 低侧 | |
| 开关接通电阻值 | 500mΩ | |
| 通道数目 | 1 | |
| 最大工作电流 | 0.64A | |
| 输出数目 | 1 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
电源开关拓扑 低侧 | ||
开关接通电阻值 500mΩ | ||
通道数目 1 | ||
最大工作电流 0.64A | ||
输出数目 1 | ||
英飞凌N 沟道型垂直功率 FET，采用智能 SIPMOS 技术。它通过嵌入式保护功能得到完全保护。它可用于各种应用，如开关或线性应用中的各种电阻性、感性和电容性负载，12 V直流应用的μC兼容电源开关，它还可取代机电继电器和分立电路。
电感性负载的快速退磁
优化的电磁兼容性 (EMC)
过载保护、电流限制、短路保护和带重启的热关闭
静电放电保护（ESD）和模拟驱动可能
优化的电磁兼容性 (EMC)
过载保护、电流限制、短路保护和带重启的热关闭
静电放电保护（ESD）和模拟驱动可能