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- RS 库存编号:
- 258-0672
- 制造商零件编号:
- BGS12PN10E6327XTSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 电源开关类型 | 高侧 | |
| 电源开关拓扑 | 高侧 | |
| 最大工作电源电压 | 3.6 V | |
| 最大工作电流 | 120µA | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
电源开关类型 高侧 | ||
电源开关拓扑 高侧 | ||
最大工作电源电压 3.6 V | ||
最大工作电流 120µA | ||
Infineon SPDT 高线性、高功率射频开关是单极双掷高功率射频开关,经优化用于高达 6.0 GHz 的移动电话应用。此单电源芯片集成了片上 CMOS 逻辑,由简单的 CMOS 或 TTL 兼容控制输入信号驱动。与 GaAs 技术不同,0.1 dB 压缩点超过开关的最大输入功率级别,从而在所有信号级别实现线性性能,只有在外部应用直流电压时,才需要射频端口的外部直流阻塞电容器。
无需电源阻塞
电源电压范围内无插入损耗变化
电源电压范围内无线性变化
适用于 EDGE / C2K / LTE / WCDMA / SV-LTE 应用
移动手机 Rx/Tx 应用,适用于 LTE/3G
电源电压范围内无插入损耗变化
电源电压范围内无线性变化
适用于 EDGE / C2K / LTE / WCDMA / SV-LTE 应用
移动手机 Rx/Tx 应用,适用于 LTE/3G