STMicroelectronics STM评估板, STM32F769NI处理器, ARM Cortex M7内核
- RS 库存编号:
- 123-1057
- 制造商零件编号:
- STM32F769I-EVAL
- 制造商:
- STMicroelectronics
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- 123-1057
- 制造商零件编号:
- STM32F769I-EVAL
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 分类 | 评估板 | |
| 技术 | MCU | |
| 装置核芯 | ARM Cortex M7 | |
| 处理器系列名称 | STM | |
| 处理器部件号 | STM32F769NI | |
| 处理器类型 | MCU | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
分类 评估板 | ||
技术 MCU | ||
装置核芯 ARM Cortex M7 | ||
处理器系列名称 STM | ||
处理器部件号 STM32F769NI | ||
处理器类型 MCU | ||
评估板，带 STM32F769NI 微控制器
STM32 评估板被设计成一个完整的演示和开发平台，用于 ARM Cortex STM32 MCU 系列。 STM32F769I-EVAL 包括高速嵌入式存储器和广泛的接口，用于评估所有外围设备和帮助开发应用。 也可为特定应用连接子板。 集成式 ST-LINK/V2-1 为 STM32 提供了嵌入式在线调试器和编程器。 该评估板可用作用户应用开发的参考设计，但它不可视为最终应用。
特点
2 MB 闪存、512 KB SRAM、16 KB 说明 TCM RAM（适用于重要的实时例程）和 4 KB 备用 SRAM
4 英寸 (101.6 mm) 800 x 480 电容式触摸 LCD 显示屏，带 MIPI DSI 连接器
4 色用户 LED
具有 4 方向控制的操作杆与选择器
摄像头模块
灵活的外部存储器控制器：8M x 32 位 SDRAM、1M x 16 位 SRAM 和 8M x 16 位 NOR 闪存
串行音频接口 (SAI) 音频编解码器
立体声数字麦克风
立体声扬声器输出
四个 I2 C 接口
实时时钟，带备用电池
“重置”、“唤醒/防篡改”或钥匙按钮
512-Mbit 四路 SPI NOR 闪存
2 GB（或更高）SDIO 接口微型 SD 卡
2Gx16 位 NAND 闪存接口，用于连接 NAND 闪存模块
USB OTG HS 和 FS，带微型 AB 连接器
符合 IEEE-802.3-2002 以太网连接器标准
六个 5 V 电源选项：电源插座、ST-LINK/V2-1 B 型微型 USB 连接器、用户 USB HS 连接器、用户 USB FS1 连接器、用户 USB FS1 连接器、子板
符合 CAN2.0 A/B 的连接
RS-232 DB9 通信
支持 JTAG/SWD 和 ETM 追踪调试，嵌入式 ST-LINK/V2-1
延长和存储器连接器，用于子板或包装板
电位计和电动机控制连接器
4 英寸 (101.6 mm) 800 x 480 电容式触摸 LCD 显示屏，带 MIPI DSI 连接器
4 色用户 LED
具有 4 方向控制的操作杆与选择器
摄像头模块
灵活的外部存储器控制器：8M x 32 位 SDRAM、1M x 16 位 SRAM 和 8M x 16 位 NOR 闪存
串行音频接口 (SAI) 音频编解码器
立体声数字麦克风
立体声扬声器输出
四个 I2 C 接口
实时时钟，带备用电池
“重置”、“唤醒/防篡改”或钥匙按钮
512-Mbit 四路 SPI NOR 闪存
2 GB（或更高）SDIO 接口微型 SD 卡
2Gx16 位 NAND 闪存接口，用于连接 NAND 闪存模块
USB OTG HS 和 FS，带微型 AB 连接器
符合 IEEE-802.3-2002 以太网连接器标准
六个 5 V 电源选项：电源插座、ST-LINK/V2-1 B 型微型 USB 连接器、用户 USB HS 连接器、用户 USB FS1 连接器、用户 USB FS1 连接器、子板
符合 CAN2.0 A/B 的连接
RS-232 DB9 通信
支持 JTAG/SWD 和 ETM 追踪调试，嵌入式 ST-LINK/V2-1
延长和存储器连接器，用于子板或包装板
电位计和电动机控制连接器
此产品为锂电池(或内置锂电池)产品，海外库存需较长时间(约90天)经由海运送达本地后，由本地(上海)仓库进行交付。
STM32F7 微控制器具有 ST 的 ART Accelerator™ 以及一个 L1 缓存，可提供 ARM Cortex-M7 内核的最大理论性能，而无论从嵌入式闪存还是从外部存储器执行代码。典型性能数据：216 MHz 时钟频率下为 1082 CoreMark / 462 DMIPS。
AXI 和多 AHB 总线矩阵，用于将核心、外围设备和存储器相互连接
某些型号上具有双精度浮点数学单元
高达 16KB +16KB 的 I 缓存和 D 缓存
高达 2MB 的嵌入式闪存，特定型号上具有同时读写能力
高达 512KB 的数据存储器，包括高达 128KB 的紧耦合数据存储器 (DTCM)，可用于栈、堆
16KB 的紧耦合指令存储器 (ITCM)，用于时间要求严格的程序
4KB 备份 SRAM，使数据处于最低功耗模式
外围设备速度独立于 CPU 速度（支持双时钟）
某些型号上具有保护代码执行功能 (PC-ROP)
电源效率：+1.8 V 直流下为 7 CoreMark/mW
某些型号上具有双精度浮点数学单元
高达 16KB +16KB 的 I 缓存和 D 缓存
高达 2MB 的嵌入式闪存，特定型号上具有同时读写能力
高达 512KB 的数据存储器，包括高达 128KB 的紧耦合数据存储器 (DTCM)，可用于栈、堆
16KB 的紧耦合指令存储器 (ITCM)，用于时间要求严格的程序
4KB 备份 SRAM，使数据处于最低功耗模式
外围设备速度独立于 CPU 速度（支持双时钟）
某些型号上具有保护代码执行功能 (PC-ROP)
电源效率：+1.8 V 直流下为 7 CoreMark/mW