Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=600 V, 33 A, ThinPAK 8 x 8, 贴片安装, 5引脚, CoolMOS™ CFD7系列
- RS 库存编号:
- 222-4912
- 制造商零件编号:
- IPL60R075CFD7AUMA1
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计（1 包，共 2 件）*
¥56.01
(不含税)
¥63.292
(含税)
有库存
- 另外 3,698 件在 2025年12月08日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 2 - 748 | RMB28.005 | RMB56.01 |
| 750 - 1498 | RMB27.725 | RMB55.45 |
| 1500 + | RMB26.335 | RMB52.67 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 222-4912
- 制造商零件编号:
- IPL60R075CFD7AUMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 33 A | |
| 最大漏源电压 | 600 V | |
| 系列 | CoolMOS™ CFD7 | |
| 封装类型 | ThinPAK 8 x 8 | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 5 | |
| 最大漏源电阻值 | 75 米Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 4.5V | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 33 A | ||
最大漏源电压 600 V | ||
系列 CoolMOS™ CFD7 | ||
封装类型 ThinPAK 8 x 8 | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 5 | ||
最大漏源电阻值 75 米Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 4.5V | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
晶体管材料 Si | ||
the Infineon 600V coolmos ™ CFD7 是英飞凌公司最新的高压超级结 mosfet 技术，集成了快速主体二极管，从而完善了 coolmos ™ 7 系列。coolmos ™ CFD7 具有更低的栅极电荷 (qg) 、更好的关闭行为和比竞争产品低 69% 的反向恢复电荷 (qrr) ，以及市场上最低的反向恢复时间 (trr) 。
超快主体二极管
同类杰出的反向恢复充电（ qrr ）
改进了反向二极管 dv/dt 和 dif/dt 坚固性
最低 fom rds （接通） x qg 和 eoss
同类杰出的 rds （接通） / 封装
同类杰出的反向恢复充电（ qrr ）
改进了反向二极管 dv/dt 和 dif/dt 坚固性
最低 fom rds （接通） x qg 和 eoss
同类杰出的 rds （接通） / 封装