制造商编号

Infineon 射频开关电路, 射频MOS功率开关技术支持, TSLP封装, 6引脚, 表面安装

RS 库存编号:: 222-4776P
制造商零件编号:: BGS12P2L6E6327XTSA1
制造商:: Infineon

Infineon 射频开关电路, 射频MOS功率开关技术支持, TSLP封装, 6引脚, 表面安装

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RS 库存编号:: 222-4776P
制造商零件编号:: BGS12P2L6E6327XTSA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品技术参数资料

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	产品类型	射频开关电路
	技术	射频MOS功率开关
	子类型	SPDT 通用开关
	包装类型	TSLP
	引脚数目	6
	安装类型	表面
	工作频带 1 频率	50MHz
	工作频带 2 频率	6GHz
	最低电源电压	1.65V
	最大电源电压	3.4V
	最低工作温度	-40°C
	最高工作温度	85°C
	长度	0.7mm
	标准/认证	RoHS and WEEE
	系列	BGS12P2L6
	高度	0.31mm
	工作频带数目	2
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	产品类型射频开关电路
	技术射频MOS功率开关
	子类型 SPDT 通用开关
	包装类型 TSLP
	引脚数目 6
	安装类型表面
	工作频带 1 频率 50MHz
	工作频带 2 频率 6GHz
	最低电源电压 1.65V
	最大电源电压 3.4V
	最低工作温度 -40°C
	最高工作温度 85°C
	长度 0.7mm
	标准/认证 RoHS and WEEE
	系列 BGS12P2L6
	高度 0.31mm
	工作频带数目 2
	汽车标准否

Datasheet - BGS12P2L6E6327XTSA1

Infineon BGS12P2L6 是一款通用型高功率单刀双掷开关、设计用于覆盖从 0.05 至 6 ghz 的广泛应用、因此出色的适用于 5G sub-6 ghz 。其卓越的射频性能优化了 lte/lte/ 5G 移动电话的传输路径（ trx ）。该芯片集成了片上 cmos 逻辑、由简单的单引脚 cmos 或 ttl 兼容控制输入信号驱动。与 GaAs 技术不同，仅当在外部应用直流电压时，才需要 RF 端口上的外部隔直流电容器。

无引线无卤封装 tsl6-4

尺寸： 0.7 x 1.1 mm2 、厚度 0.31 mm

无需电源去耦

高 EMI 稳定性

符合 rohs 和 weee 标准的封装

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