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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 20 - 90 | RMB2.598 |
| 100 - 240 | RMB2.546 |
| 250 - 490 | RMB2.48 |
| 500 + | RMB2.405 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 222-4786P
- 制造商零件编号:
- BGSA11GN10E6327XTSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 封装类型 | tsnp － 10 － 1 | |
| 引脚数目 | 10 | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 尺寸 | 1.1 x 1.5mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
封装类型 tsnp － 10 － 1 | ||
引脚数目 10 | ||
安装类型 贴片 | ||
尺寸 1.1 x 1.5mm | ||
the Infineon BGSA11GN10 是双路单刀单掷（单刀单掷）射频天线调谐开关、经优化可用于高达 6.0 ghz 的低 ron 启用应用。此单电源芯片集成由简单的单引脚 CMOS 或 TTL 兼容控制输入信号驱动的片上 CMOS 逻辑。与 gaas 技术不同、 0.1 db 压缩点超过开关最大输入功率级别、从而在所有信号级别产生线性性能、仅当外部施加直流电压时、才需要 rf 端口上的外部直流阻塞电容器。
高线性双单刀单掷、用于天线调谐开关应用
Ω 单刀单掷、 0.38 Ω μ m 、并联两个单刀单掷、在通态时超低 ron 为 0.79 μ m
关闭状态下 250 ff 的超低 coff
高最大射频电压关闭状态处理： 36 Peak （ 72 vp-p ）
低谐波产生
Ω 单刀单掷、 0.38 Ω μ m 、并联两个单刀单掷、在通态时超低 ron 为 0.79 μ m
关闭状态下 250 ff 的超低 coff
高最大射频电压关闭状态处理： 36 Peak （ 72 vp-p ）
低谐波产生