可享批量折扣
小计 30 件 (按连续条带形式提供)*
¥95.04
(不含税)
¥107.40
(含税)
有库存
- 另外 4,140 件在 2025年12月08日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 30 - 75 | RMB3.168 |
| 90 - 225 | RMB3.088 |
| 240 - 465 | RMB3.012 |
| 480 + | RMB2.937 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 222-4790P
- 制造商零件编号:
- BGSX22G5A10E6327XTSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 封装类型 | atslp10-50 | |
| 引脚数目 | 10 | |
| 尺寸 | 1.1 x 1.5 x0.55mm | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
封装类型 atslp10-50 | ||
引脚数目 10 | ||
尺寸 1.1 x 1.5 x0.55mm | ||
安装类型 贴片 | ||
Infineon BGSX22G5A10 射频 mos 开关专为 lte 和 wcdma 多天线应用而设计。此双刀双掷提供低插入损耗和低谐波生成、并在射频端口之间实现高隔离。该开关通过 gpio 接口控制。片上控制器允许 1.65v 至 3.4v 的电源电压。
射频 cmos 双刀双掷天线交叉开关、功率处理能力高达 37 dbm
超低插入损耗和谐波生成
0.1 至 6.0 ghz 覆盖范围
高端口到端口隔离
如果 rf 线路上未应用直流、则无需去耦电容器
通用输入 - 输出（ gpio ）接口
小型设计： 1.1mm x 1.5mm
无需电源阻断
超低插入损耗和谐波生成
0.1 至 6.0 ghz 覆盖范围
高端口到端口隔离
如果 rf 线路上未应用直流、则无需去耦电容器
通用输入 - 输出（ gpio ）接口
小型设计： 1.1mm x 1.5mm
无需电源阻断