Infineon 射频开关, CMOS技术支持, 19引脚, 贴片安装
- RS 库存编号:
- 234-4629P
- 制造商零件编号:
- BGSX44MU18E6327XUSA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 |
|---|---|
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| 250 - 498 | RMB12.64 |
| 500 + | RMB12.385 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 234-4629P
- 制造商零件编号:
- BGSX44MU18E6327XUSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 技术 | CMOS | |
| 封装类型 | PG-WLGA-18-1 | |
| 引脚数目 | 19 | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 尺寸 | 2.0 x 2.4 x 0.63mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
技术 CMOS | ||
封装类型 PG-WLGA-18-1 | ||
引脚数目 19 | ||
安装类型 贴片 | ||
尺寸 2.0 x 2.4 x 0.63mm | ||
Infineon 射频 CMOS 开关专为 LTE 和 5G FR1 四天线应用而设计。本 4P4T 交叉开关具有低插入损耗和低谐波生成的特性。开关通过 MIPI RFFE 控制接口控制。片上控制器支持 1.65 至 1.95 V 电源电压。本开关具有电池直连功能和无直流射频端口。本设备尺寸极小，仅为 2.0 mm x 2.4 mm，厚度为 0.63 mm。
高线性，高达 37 dBm 峰值功率
快速切换时间，适用于 5G SRS 应用
低插入损耗和高达 7.125 GHz 的高端口到端口隔离
低功耗，支持使用 MIPI RFFE 电源
MIPI RFFE 2.1 控制接口
软件和硬件可编程 USIDU
超薄无铅塑料封装
封装符合 RoHS 和 WEEE 标准
快速切换时间，适用于 5G SRS 应用
低插入损耗和高达 7.125 GHz 的高端口到端口隔离
低功耗，支持使用 MIPI RFFE 电源
MIPI RFFE 2.1 控制接口
软件和硬件可编程 USIDU
超薄无铅塑料封装
封装符合 RoHS 和 WEEE 标准