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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 10 - 18 | RMB24.645 |
| 20 - 98 | RMB24.16 |
| 100 - 198 | RMB20.195 |
| 200 + | RMB19.795 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 262-9031P
- 制造商零件编号:
- F2933NBGP
- 制造商:
- Renesas Electronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Renesas Electronics | |
| 封装类型 | VFQFPN | |
| 引脚数目 | 16 | |
| 尺寸 | 4 x 4mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Renesas Electronics | ||
封装类型 VFQFPN | ||
引脚数目 16 | ||
尺寸 4 x 4mm | ||
- COO (Country of Origin):
- TW
Renesas Electronics 射频开关是高可靠性、低插入损耗、50 Ω SP2T 吸收式射频开关,设计用于各种市场和应用。此设备覆盖 50 MHz 至 8000 MHz 的宽频率范围,工作温度范围为 -40 至 105°C,电源电压范围为 2.7 - 5.5 V 直流。该射频开关设计用于高功率处理,P1 dB 高达 36.5 dBm,在通路中支持 34 dBm 的峰值工作功率,在端接的射频端口中支持 27 dBm 的热切换功率。除了提供低插入损耗外,射频开关还提供高隔离和低失真性能,同时为未使用的射频端口提供 50 Ω 端接。射频开关使用单个正电源电压,支持使用 3.3 V 或 1.8 V 控制逻辑的三个逻辑控制引脚。
双对称宽带,吸收式射频端口
RFC-RFX 隔离为 67 dB
插入损耗为 0.79 dB
高连续射频 CW 功率处理
3.3 V 和 1.8 V 兼容控制逻辑
工作温度 -40 °C 至 +105 °C
RFC-RFX 隔离为 67 dB
插入损耗为 0.79 dB
高连续射频 CW 功率处理
3.3 V 和 1.8 V 兼容控制逻辑
工作温度 -40 °C 至 +105 °C