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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 25 - 975 | RMB2.14 | RMB53.50 |
| 1000 + | RMB1.915 | RMB47.88 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 273-5230
- 制造商零件编号:
- BGC100GN6E6327XTSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 技术 | CMOS | |
| 封装类型 | TSNP-6-2 | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 尺寸 | 1.1 x 0.7 x 0.375mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
技术 CMOS | ||
封装类型 TSNP-6-2 | ||
引脚数目 6 | ||
安装类型 贴片 | ||
尺寸 1.1 x 0.7 x 0.375mm | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
Infineon 双向耦合器 IC 设计用于 2G、3G、4G 射频前端应用。该设备包含一个双向耦合器,可在 0.6 GHz 至 2.7 GHz 频率范围内的一个或多个频段工作。耦合输出包含一个低通过滤波器,用于 5 GHz ISM 阻止器抑制。该耦合器具有低插入损耗和高方向性。耦合器通过 GPIO 引脚进行控制。无需外部电源封锁或射频分离电容器。该耦合器是一款完全集成的设备,部署 Infineon 高音量射频 CMOS 技术。该设备的尺寸非常小,仅为 1.1 x 0.7 mm2,最大高度为 0.4 mm。
GPIO 控制
集成低通过滤波器
支持所有手机标准
符合 RoHS 和 WEEE 标准的封装
射频 CMOS 中完全集成的耦合器
设计用于低插入损耗和高方向性
集成低通过滤波器
支持所有手机标准
符合 RoHS 和 WEEE 标准的封装
射频 CMOS 中完全集成的耦合器
设计用于低插入损耗和高方向性