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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 750 - 1495 | RMB4.73 |
| 1500 + | RMB4.628 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 185-8654P
- 制造商零件编号:
- N24RF04DTPT3G
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 组件类型 | 模块 | |
| 支持的总线接口 | I2C | |
| 电源电压 | 1.8 → 5.5V | |
| 尺寸 | 3.1 x 4.5 x 1.05mm | |
| 高度 | 1.05mm | |
| 长度 | 3.1mm | |
| 最高工作温度 | +105 °C | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 宽度 | 4.5mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
组件类型 模块 | ||
支持的总线接口 I2C | ||
电源电压 1.8 → 5.5V | ||
尺寸 3.1 x 4.5 x 1.05mm | ||
高度 1.05mm | ||
长度 3.1mm | ||
最高工作温度 +105 °C | ||
最低工作温度 -40°C | ||
宽度 4.5mm | ||
- COO (Country of Origin):
- TH
非接触式数据传输
附近范围通信（最大 150 cm ）
13.56 MHz （ HF ）时的空中接口通信
标记：使用 1.65 Kbit/s 或 26.48 Kbit/s 数据速率进行调制
从标签：在低（ 6.6 Kbit/s ）或高（ 26 Kbit/s ）数据速率模式下使用 423 kHz 和 484 kHz 子载波曼彻斯特编码进行负载调制。使用快速命令支持 53 Kbit/s 数据速率
读写 32−位块模式
防−碰撞支撑
64−位唯一标识符 (UID)
每个用户内存扇区有多个 32−位密码和锁定功能
支持 Fast (400 kHz) 和 Fast−Plus (1 MHz) I2C 协议
1.8 V 至 5.5 V 电源电压范围
4−字节页面写入缓冲区
I2C 超时
I2C 总线输入上的施密特触发器和噪声抑制滤波器（ SCL 和 SDA ）
128 块 x 32 位（每块 32 块 4 个扇区）： RF 模式
512 x 8 位 I2C 模式
200 、 000 、 000 个程序 / 擦除周期
200 年数据保留
−40C 至 +3M 温度范围
SOIC 、 TSSOP 8−引线封装
这些设备无铅、无卤素/无 BFR
应用
NFC 标签
RF 标签
EEPROM
附近范围通信（最大 150 cm ）
13.56 MHz （ HF ）时的空中接口通信
标记：使用 1.65 Kbit/s 或 26.48 Kbit/s 数据速率进行调制
从标签：在低（ 6.6 Kbit/s ）或高（ 26 Kbit/s ）数据速率模式下使用 423 kHz 和 484 kHz 子载波曼彻斯特编码进行负载调制。使用快速命令支持 53 Kbit/s 数据速率
读写 32−位块模式
防−碰撞支撑
64−位唯一标识符 (UID)
每个用户内存扇区有多个 32−位密码和锁定功能
支持 Fast (400 kHz) 和 Fast−Plus (1 MHz) I2C 协议
1.8 V 至 5.5 V 电源电压范围
4−字节页面写入缓冲区
I2C 超时
I2C 总线输入上的施密特触发器和噪声抑制滤波器（ SCL 和 SDA ）
128 块 x 32 位（每块 32 块 4 个扇区）： RF 模式
512 x 8 位 I2C 模式
200 、 000 、 000 个程序 / 擦除周期
200 年数据保留
−40C 至 +3M 温度范围
SOIC 、 TSSOP 8−引线封装
这些设备无铅、无卤素/无 BFR
应用
NFC 标签
RF 标签
EEPROM