onsemi 表面, 11.6 A, 650 V, TO-252, 肖特基二极管整流器, 3引脚 二极管, 单, FFSD0865B系列
- RS 库存编号:
- 194-5750P
- 制造商零件编号:
- FFSD0865B
- 制造商:
- onsemi
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 625 - 1245 | RMB22.274 |
| 1250 + | RMB21.606 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 194-5750P
- 制造商零件编号:
- FFSD0865B
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 产品类型 | 二极管 | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 封装类型 | DPAK | |
| 包装类型 | TO-252 | |
| 最大连续正向电流 If | 11.6A | |
| 最大连续正向电流 | 11.6A | |
| 峰值反向重复电压 | 650V | |
| 峰值反向重复电压 Vrrm | 650V | |
| 二极管配置 | 单路 | |
| 系列 | FFSD0865B | |
| 整流器类型 | 肖特基二极管 | |
| 二极管类型 | 碳化硅肖特基 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 二极管技术 | 碳化硅肖特基 | |
| 峰值非重复正向浪涌电流 Ifsm | 577A | |
| 峰值反向电流 Ir | 160μA | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大正向电压 Vf | 2.4V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 高度 | 6.22mm | |
| 宽度 | 2.39 mm | |
| 长度 | 6.73mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 峰值非重复正向浪涌电流 | 577A | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
产品类型 二极管 | ||
安装类型 贴片 | ||
封装类型 DPAK | ||
包装类型 TO-252 | ||
最大连续正向电流 If 11.6A | ||
最大连续正向电流 11.6A | ||
峰值反向重复电压 650V | ||
峰值反向重复电压 Vrrm 650V | ||
二极管配置 单路 | ||
系列 FFSD0865B | ||
整流器类型 肖特基二极管 | ||
二极管类型 碳化硅肖特基 | ||
引脚数目 3 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
二极管技术 碳化硅肖特基 | ||
峰值非重复正向浪涌电流 Ifsm 577A | ||
峰值反向电流 Ir 160μA | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大正向电压 Vf 2.4V | ||
最高工作温度 175°C | ||
高度 6.22mm | ||
宽度 2.39 mm | ||
长度 6.73mm | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
峰值非重复正向浪涌电流 577A | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
碳化硅 (SiC) 肖特基二极管 – EliteSiC，8 A，650 V，D2，DPAK
碳化硅 (SiC) 肖特基二极管 – EliteSiC，8 A，650 V，D2，DPAK
碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用全新的技术，相比硅可提供卓越的切换性能和更高的可靠性。无反向恢复电流、不受温度影响的切换特性和极佳的热性能，使碳化硅成为下一代功率半导体的理想材料选择。系统优点包括最高的效率、更快的工作频率、更高的功率密度、更低的 EMI、更小的系统尺寸以及更低的成本。
高 uis 、浪涌电流和雪崩
高接点温度
低 Vf
无 qrr.
49mJ @ 25C
tj = 175C
1.41v
<100nC
应用
PFC