Infineon 贴片, 10A, 650V, PG-TO263-2, IDK04G65C5系列
- RS 库存编号:
- 258-0964
- 制造商零件编号:
- IDK10G65C5XTMA2
- 制造商:
- Infineon
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 258-0964
- 制造商零件编号:
- IDK10G65C5XTMA2
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 封装类型 | PG-TO263-2 | |
| 最大连续正向电流 | 10A | |
| 峰值反向重复电压 | 650V | |
| 系列 | IDK04G65C5 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
安装类型 贴片 | ||
封装类型 PG-TO263-2 | ||
最大连续正向电流 10A | ||
峰值反向重复电压 650V | ||
系列 IDK04G65C5 | ||
Infineon 第 5 代 thinQ! SiC 肖特基二极管是专有的扩散焊接工艺,G3 已经引入,现在结合了新的、更紧凑的设计和薄膜技术。结果是一个新的产品系列,在所有负载条件下都显示出更高的效率,从而提高了热特性和降低了优点。全新 thinQ!TM 5 代设计用于补充我们的 650V CoolMOS 系列,确保满足此电压范围中最严格的应用要求。
革命性的半导体材料 - 碳化硅
基准切换行为
无反向恢复/无正向恢复
温度独立切换行为
启用更高频率/更高功率密度解决方案
由于工作温度较低,系统可靠性更高
减少 EMI
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无反向恢复/无正向恢复
温度独立切换行为
启用更高频率/更高功率密度解决方案
由于工作温度较低,系统可靠性更高
减少 EMI
