Alliance Memory DDR3 SDRAM, 512Mbit, 32Mx16, FBGA, 96针, 贴片安装
- RS 库存编号:
- 665-381
- 制造商零件编号:
- AS4C32M16D3-12BIN
- 制造商:
- Alliance Memory
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 + | RMB35.76 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 665-381
- 制造商零件编号:
- AS4C32M16D3-12BIN
- 制造商:
- Alliance Memory
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Alliance Memory | |
| 内存大小 | 512Mbit | |
| 组织 | 32Mx16 | |
| SDRAM类 | DDR3 | |
| 数据总线宽度 | 16Bit | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 封装类型 | FBGA | |
| 引脚数目 | 96 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Alliance Memory | ||
内存大小 512Mbit | ||
组织 32Mx16 | ||
SDRAM类 DDR3 | ||
数据总线宽度 16Bit | ||
安装类型 贴片 | ||
封装类型 FBGA | ||
引脚数目 96 | ||
- COO (Country of Origin):
- TW
Alliance Memory 512Mb DDR3 DRAM 具有双数据速率架构,用于高速操作,并在内部配置为八台 DRAM。它以 4M 位 x16 输入/输出 x8 银行进行组织,支持每引脚高达 1866Mb/s 的双数据速率传输速度,使其适用于一般高性能应用。该设备符合所有关键 DDR3 规格,所有控制和地址输入均同步到一对外部供应的差分时钟。
8 个内部银行,用于同时操作
8n 位前缀体系结构
管道内部结构
预充电和有源断电
可编程模式和扩展模式注册表
Burst 类型为顺序和间隔
输出驱动器阻抗控制
8n 位前缀体系结构
管道内部结构
预充电和有源断电
可编程模式和扩展模式注册表
Burst 类型为顺序和间隔
输出驱动器阻抗控制