Winbond 512Mbit LPDDR SDRAM, 32Bit数据总线, vfbga, 90p, 200MHz

VDD = 1.7∼1.95V
VDDQ = 1.7∼1.95V
数据宽度：x16 / x32
时钟频率：200MHz（-5）、166MHz（-6）
标准自刷新模式
部分阵列自刷新（PASR）
自动温度补偿自刷新 (ATCSR)
断电模式
深度掉电模式（DPD 模式）
可编程输出缓冲驱动器强度
四个内部存储库，可同时运行
写入数据的数据屏蔽 (DM)
空闲时段时钟停止功能
每次连发访问自动预充电选项
数据输出的双倍数据速率
差分时钟输入（CK 和 CK）
双向，数据选通 (DQS)
CAS 延迟：2 和 3
脉冲串长度：2、4、8 和 16
脉冲串类型：顺序或交错
8K 个刷新周期/64 毫秒
接口：兼容 LVCMOS
支持包：
60 球 VFBGA（x16）
90 球 VFBGA（x32）
工作温度范围
扩展：-25°C ≤ TCASE ≤ 85°C
工业：-40°C ≤ TCASE ≤ 85°C

这是一款 512Mb 低功耗 DDR SDRAM，组织形式为 2M 字 x 4 个组 x 32 位。

脉冲串类型：顺序或交错
标准自刷新模式
PASR、ATCSR、断电模式、DPD
可编程输出缓冲驱动器强度
四个内部存储库，可同时运行
双向，数据选通 (DQS) 与数据一起发送或接收，用于接收器捕捉数据