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选择全部	属性	值
	品牌	Winbond
	内存大小	512Mbit
	组织	64M x 8 位
	SDRAM类	LPDDR
	数据速率	200MHz
	数据总线宽度	32Bit
	位址总线宽	15Bit
	每字组的位元数目	8Bit
	最长随机存取时间	5ns
	字组数目	64M
	安装类型	贴片
	封装类型	vfbga
	引脚数目	90
	尺寸	13.1 x 8.1 x 0.65mm
	高度	0.65mm
	长度	13.1mm
	最小工作电源电压	1.7 V
	最高工作温度	+85°C
	宽度	8.1mm
	最大工作电源电压	1.95 V
	最低工作温度	-40°C

	选择全部
	品牌 Winbond
	内存大小 512Mbit
	组织 64M x 8 位
	SDRAM类 LPDDR
	数据速率 200MHz
	数据总线宽度 32Bit
	位址总线宽 15Bit
	每字组的位元数目 8Bit
	最长随机存取时间 5ns
	字组数目 64M
	安装类型贴片
	封装类型 vfbga
	引脚数目 90
	尺寸 13.1 x 8.1 x 0.65mm
	高度 0.65mm
	长度 13.1mm
	最小工作电源电压 1.7 V
	最高工作温度 +85°C
	宽度 8.1mm
	最大工作电源电压 1.95 V
	最低工作温度 -40°C

Datasheet W949D2DBJX5I

COO (Country of Origin):: TW

VDD = 1.7∼1.95V
VDDQ = 1.7∼1.95V
数据宽度：x16 / x32
时钟频率：200MHz（-5）、166MHz（-6）
标准自刷新模式
部分阵列自刷新（PASR）
自动温度补偿自刷新 (ATCSR)
断电模式
深度掉电模式（DPD 模式）
可编程输出缓冲驱动器强度
四个内部存储库，可同时运行
写入数据的数据屏蔽 (DM)
空闲时段时钟停止功能
每次连发访问自动预充电选项
数据输出的双倍数据速率
差分时钟输入（CK 和 CK）
双向，数据选通 (DQS)
CAS 延迟：2 和 3
脉冲串长度：2、4、8 和 16
脉冲串类型：顺序或交错
8K 个刷新周期/64 毫秒
接口：兼容 LVCMOS
支持包：
60 球 VFBGA（x16）
90 球 VFBGA（x32）
工作温度范围
扩展：-25°C ≤ TCASE ≤ 85°C
工业：-40°C ≤ TCASE ≤ 85°C

这是一款 512Mb 低功耗 DDR SDRAM，组织形式为 2M 字 x 4 个组 x 32 位。

脉冲串类型：顺序或交错
标准自刷新模式
PASR、ATCSR、断电模式、DPD
可编程输出缓冲驱动器强度
四个内部存储库，可同时运行
双向，数据选通 (DQS) 与数据一起发送或接收，用于接收器捕捉数据

单位	每单位
60 - 115	RMB29.978
120 +	RMB29.378

Winbond LPDDR SDRAM, 512Mbit, 64M x 8 位, vfbga, 90针, 64M字组, 200MHz, 贴片安装

该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。