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选择全部	属性	值
	品牌	Winbond
	内存大小	128Mbit
	组织	16M x 8 位
	SDRAM类	DDR2
	数据速率	200MHz
	数据总线宽度	16Bit
	位址总线宽	15Bit
	每字组的位元数目	8Bit
	最长随机存取时间	0.4ns
	字组数目	16M
	安装类型	贴片
	封装类型	TFBGA
	引脚数目	84
	尺寸	12.6 x 8.1 x 0.8mm
	高度	0.8mm
	长度	12.6mm
	最小工作电源电压	1.7 V
	最大工作电源电压	1.9 V
	宽度	8.1mm
	最高工作温度	+95 °C
	最低工作温度	-40°C

	选择全部
	品牌 Winbond
	内存大小 128Mbit
	组织 16M x 8 位
	SDRAM类 DDR2
	数据速率 200MHz
	数据总线宽度 16Bit
	位址总线宽 15Bit
	每字组的位元数目 8Bit
	最长随机存取时间 0.4ns
	字组数目 16M
	安装类型贴片
	封装类型 TFBGA
	引脚数目 84
	尺寸 12.6 x 8.1 x 0.8mm
	高度 0.8mm
	长度 12.6mm
	最小工作电源电压 1.7 V
	最大工作电源电压 1.9 V
	宽度 8.1mm
	最高工作温度 +95 °C
	最低工作温度 -40°C

Datasheet W9712G6KB25I

COO (Country of Origin):: TW

W9712G6KB 是 128M 位 DDR2 SDRAM，速度为 -25、25I 和 -3。

双倍数据速率架构：每个时钟周期两次数据传输
CAS 延迟：3、4、5 和 6
脉冲串长度：4 和 8
双向、差分数据选通（DQS 和 /DQS ）与数据一起传输/接收。
与读取数据边缘对齐，与写入数据中心对齐
DLL 使 DQ 和 DQS 转换与时钟一致
差分时钟输入（CLK 和 /CLK）
用于写入数据的数据屏蔽 (DM)
在每个正 CLK 边沿输入的命令、数据和数据屏蔽均参考 /DQS 的两个边沿
已发布 /CAS 支持可编程添加延迟，以提高命令和数据总线效率
读取延迟 = 加法延迟加 CAS 延迟 (RL = AL + CL)
片外驱动器阻抗调整 (OCD) 和片上终端 (ODT)，提高信号质量
读写脉冲串自动预充电操作
自动刷新和自刷新模式
预充电断电和主动断电
写入数据屏蔽
写入延迟 = 读取延迟 - 1 (WL = RL - 1)
接口：SSTL_18

单位	每单位
55 - 100	RMB18.126
105 +	RMB17.734

Winbond DDR2 SDRAM, 128Mbit, 16M x 8 位, TFBGA, 84针, 16M字组, 200MHz, 贴片安装

该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。