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选择全部	属性	值
	品牌	Winbond
	存储器大小	128Mbit
	组织	16M x 8 位
	数据速率	166MHz
	每字组的位元数目	8Bit
	字组数目	16M
	安装类型	贴片
	封装类型	TFBGA
	引脚数目	90
	尺寸	13.05 x 8.05 x 0.6mm
	高度	0.6mm
	长度	13.05mm
	最低工作温度	-40°C
	最小工作电源电压	3V
	宽度	8.05mm
	最大工作电源电压	3.6 V
	最高工作温度	+85°C

	选择全部
	品牌 Winbond
	存储器大小 128Mbit
	组织 16M x 8 位
	数据速率 166MHz
	每字组的位元数目 8Bit
	字组数目 16M
	安装类型贴片
	封装类型 TFBGA
	引脚数目 90
	尺寸 13.05 x 8.05 x 0.6mm
	高度 0.6mm
	长度 13.05mm
	最低工作温度 -40°C
	最小工作电源电压 3V
	宽度 8.05mm
	最大工作电源电压 3.6 V
	最高工作温度 +85°C

Datasheet W9812G2KB-6I

3.3V ± 0.3V 电源
1,048,576 字 x 4 组 x 32 位组织结构
自刷新电流：标准和低功耗
CAS 延迟：2 和 3
突发长度：1、2、4、8 和整页
顺序和交错突发
由 DQM0-3 控制的字节数据
自动预充电和受控预充电
突发读取，单次写入操作
4K 刷新周期/64 毫秒
接口接口： LVTTL
采用 TFBGA 90 球（8 x 13 mm2）包装，使用无铅材料。
双芯片封装（DDP），两块 64M 位芯片密封在一个封装中

W9812G2KB 是 128M SDRAM，速度为 -6/-6I。

3.3V± 0.3V 电源 1,048,576 字 x 4 组 x 32 位组织结构
自动刷新模式
CAS 延迟：2 和 3
突发长度：1、2、4、8 和整页
顺序和交错突发
由 DQM0-3 控制的字节数据
自动预充电和受控预充电
突发读取，单次写入操作
4K 刷新周期/64 毫秒
接口接口： LVTTL
双芯片封装 (DDP)，两块 64M 位芯片密封在一块中
封装

Winbond SDRAM, 128Mbit, 16M x 8 位, TFBGA, 90针, 16M字组, 166MHz, 贴片安装