Infineon DDR SDRAM, 64Mbit, 24 球 FBGA, 24针, 400Mbps

Infineon DRAM 是一种高速 CMOS 自刷新 DRAM，配备有 HYPERBUS 接口。DRAM 阵列采用需要定期刷新的动态单元。当 HYPERBUS 接口主控端不主动读写存储器时，器件内部的刷新控制逻辑会管理 DRAM 阵列上的刷新操作。由于主机不需要管理任何刷新操作，因此 DRAM 阵列对主机而言就像存储器使用保留数据但不刷新的静态单元一样。所以，将该存储器描述为伪静态 RAM 更为准确。

200 MHz 最大时钟速率
数据吞吐量高达 400 MBps
双向读写数据选通
汽车 AEC Q100 2 级和 3 级
可选 DDR 中心对齐读取选通
DDR 在时钟的两个边沿传输数据