Renesas Electronics 异步SRAM, 4Mbit, 512 K x 8 位, 32针, 贴片安装, TSOP, 最长55ns
- RS 库存编号:
- 577-761
- 制造商零件编号:
- R1LV0408DSB-5SI#BT
- 制造商:
- Renesas Electronics
不可供应
RS 不再对该产品备货。
- RS 库存编号:
- 577-761
- 制造商零件编号:
- R1LV0408DSB-5SI#BT
- 制造商:
- Renesas Electronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Renesas Electronics | |
| 存储器大小 | 4Mbit | |
| 组织 | 512 K x 8 位 | |
| 字组数目 | 512K | |
| 每字组的位元数目 | 8Bit | |
| 最长随机存取时间 | 55ns | |
| 位址总线宽 | 19Bit | |
| 低功率 | 是 | |
| 计时类型 | 异步 | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 封装类型 | TSOP | |
| 引脚数目 | 32 | |
| 最大工作电源电压 | 3.6 V | |
| 宽度 | 11.76mm | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 最高工作温度 | +85°C | |
| 最小工作电源电压 | 2.7 V | |
| 长度 | 20.95mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Renesas Electronics | ||
存储器大小 4Mbit | ||
组织 512 K x 8 位 | ||
字组数目 512K | ||
每字组的位元数目 8Bit | ||
最长随机存取时间 55ns | ||
位址总线宽 19Bit | ||
低功率 是 | ||
计时类型 异步 | ||
安装类型 贴片 | ||
封装类型 TSOP | ||
引脚数目 32 | ||
最大工作电源电压 3.6 V | ||
宽度 11.76mm | ||
最低工作温度 -40°C | ||
最高工作温度 +85°C | ||
最小工作电源电压 2.7 V | ||
长度 20.95mm | ||
豁免
- COO (Country of Origin):
- JP
低功率 SRAM，R1LV 系列，Renesas Electronics
R1LV 系列高级低电压静态 RAM 适用于简单接口连接、电池工作和电池备份为重要设计目标的存储器应用。
单 2.7V 至 3.6V 电源
小待机电流
无时钟、无需刷新
所有输入和输出均兼容 TTL
三态输出：OR-tie 能力
小待机电流
无时钟、无需刷新
所有输入和输出均兼容 TTL
三态输出：OR-tie 能力
SRAM（静态随机存取存储器）