ISSI 异步, IS61WV6416DBLL-10TLI SRAM, 1 MB, 64K x 16 bit, 44引脚, 表面安装, TSOP, 最长10 ns
- RS 库存编号:
- 170-2186
- 制造商零件编号:
- IS61WV6416DBLL-10TLI
- 制造商:
- ISSI
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 170-2186
- 制造商零件编号:
- IS61WV6416DBLL-10TLI
- 制造商:
- ISSI
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ISSI | |
| 产品类型 | SRAM | |
| 存储器大小 | 1MB | |
| 组织 | 64K x 16 bit | |
| 字组数目 | 64K | |
| 每字组的位元数目 | 16 | |
| 最长随机存取时间 | 10ns | |
| 位址总线宽 | 16bit | |
| 最低电源电压 | 2.4V | |
| 计时类型 | 异步 | |
| 最大电源电压 | 3.6V | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 包装类型 | TSOP | |
| 最高工作温度 | 85°C | |
| 引脚数目 | 44 | |
| 长度 | 18.54mm | |
| 系列 | IS61WV6416DBLL | |
| 宽度 | 10.29 mm | |
| 高度 | 1.05mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ISSI | ||
产品类型 SRAM | ||
存储器大小 1MB | ||
组织 64K x 16 bit | ||
字组数目 64K | ||
每字组的位元数目 16 | ||
最长随机存取时间 10ns | ||
位址总线宽 16bit | ||
最低电源电压 2.4V | ||
计时类型 异步 | ||
最大电源电压 3.6V | ||
安装类型 表面 | ||
最低工作温度 -40°C | ||
包装类型 TSOP | ||
最高工作温度 85°C | ||
引脚数目 44 | ||
长度 18.54mm | ||
系列 IS61WV6416DBLL | ||
宽度 10.29 mm | ||
高度 1.05mm | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
静态RAM，ISSI
ISSI静态RAM产品采用高性能的CMOS技术。静态RAM种类繁多，包括5V高速异步SRAM、高速低功耗异步SRAM、5V低功耗型异步SRAM、超低功耗CMOS静态RAM和PowerSaverTM低功耗异步SRAM。ISSI SRAM器件有多种电压、内存大小和不同的组织。它们适用于CPU高速缓存存储器，嵌入式处理器，硬盘驱动器以及工业电子开关等应用。
电源：1.8v/3.3v/12mm5V
提供的封装：bga、soj、sop、stssop、tsop
提供配置选项：x8和x16
ecc功能可用于高速异步随机存物