Infineon 异步 SRAM, 16 MB, 1M x 16 Bit, 54引脚, 表面安装, TSOP, 最长10 ns, 100 MHz

RS 库存编号:: 181-7451
制造商零件编号:: CY7C1061GE30-10ZSXI
制造商:: Infineon

Infineon 异步 SRAM, 16 MB, 1M x 16 Bit, 54引脚, 表面安装, TSOP, 最长10 ns, 100 MHz

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RS 库存编号:: 181-7451
制造商零件编号:: CY7C1061GE30-10ZSXI
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	存储器大小	16MB
	产品类型	SRAM
	组织	1M x 16 Bit
	字组数目	1M
	每字组的位元数目	16
	最长随机存取时间	10ns
	位址总线宽	16bit
	最高时钟频率	100MHz
	计时类型	异步
	最低电源电压	2.2V
	最大电源电压	3.6V
	安装类型	表面
	最低工作温度	-40°C
	包装类型	TSOP
	最高工作温度	85°C
	引脚数目	54
	高度	1.05mm
	系列	CY7C1061GE
	标准/认证	No
	长度	22.51mm
	宽度	10.26 mm
	汽车标准	否
	供应进气口螺纹性别	110mA

	选择全部
	品牌 Infineon
	存储器大小 16MB
	产品类型 SRAM
	组织 1M x 16 Bit
	字组数目 1M
	每字组的位元数目 16
	最长随机存取时间 10ns
	位址总线宽 16bit
	最高时钟频率 100MHz
	计时类型异步
	最低电源电压 2.2V
	最大电源电压 3.6V
	安装类型表面
	最低工作温度 -40°C
	包装类型 TSOP
	最高工作温度 85°C
	引脚数目 54
	高度 1.05mm
	系列 CY7C1061GE
	标准/认证 No
	长度 22.51mm
	宽度 10.26 mm
	汽车标准否
	供应进气口螺纹性别 110mA

CY7C1061G 和 CY7C1061GE 是高性能 CMOS 快速静态 RAM 设备，带嵌入式 ECC。两种设备均提供单和双芯片启用选项和多种引脚配置。CY7C1061GE 设备包括一个 ERR 引脚，该引脚在读取周期期间发送单位错误检测和校正事件信号。

tAA = 10 ns/15 ns

嵌入式错误校正代码 (ECC) 用于单位错误

校正 [1, 2]

低有源和待机电流

100 Mhz 时 ICC = 90 mA（典型值）

ISB2 = 20 mA（典型值）

工作电压范围：1.65 V 至 2.2 V、2.2 V 至 3.6 V 和

4.5 V 至 5.5 V

1.0 V 数据保留

晶体管 - 兼容晶体管逻辑 (TTL) 的输入和输出

错误指示 (ERR) 引脚指示 1 位错误检测和校正

提供 PB - 自由 48 引脚 TSOP I、54 引脚 TSOP II 和 48 球 VFBGA 封装