Infineon 异步, CY7C1049GN-10VXI SRAM, 4 MB, 512k x 16 Bit, 36引脚, 表面安装, SOJ, 最长10 ns
- RS 库存编号:
- 182-3295
- 制造商零件编号:
- CY7C1049GN-10VXI
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 | Per Tube* |
|---|---|---|
| 19 - 76 | RMB26.764 | RMB508.52 |
| 95 + | RMB26.378 | RMB501.18 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 182-3295
- 制造商零件编号:
- CY7C1049GN-10VXI
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 存储器大小 | 4MB | |
| 产品类型 | SRAM | |
| 组织 | 512k x 16 Bit | |
| 字组数目 | 512K | |
| 每字组的位元数目 | 8 | |
| 最长随机存取时间 | 10ns | |
| 计时类型 | 异步 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 包装类型 | SOJ | |
| 引脚数目 | 36 | |
| 宽度 | 0.4 mm | |
| 长度 | 0.93mm | |
| 高度 | 0.12mm | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
存储器大小 4MB | ||
产品类型 SRAM | ||
组织 512k x 16 Bit | ||
字组数目 512K | ||
每字组的位元数目 8 | ||
最长随机存取时间 10ns | ||
计时类型 异步 | ||
安装类型 表面 | ||
包装类型 SOJ | ||
引脚数目 36 | ||
宽度 0.4 mm | ||
长度 0.93mm | ||
高度 0.12mm | ||
标准/认证 RoHS | ||
- COO (Country of Origin):
- US
CY7C1049GN 是一款高性能 CMOS 快速静态 RAM 设备，其组织架构为512K字x8位。数据写入是通过将芯片使能（CE）和写入使能（WE）输入置为低电平来实现的，同时在I/O0至I/O7引脚上提供数据，在A0至A18引脚上提供地址。数据读取操作通过将芯片使能（CE）和输出使能（OE）输入置为低电平，并在地址行上提供所需地址来完成。读取的数据可通过I/O线路（I/O0至I/O7）访问。在以下情况中，所有I/O端口（I/O0至I/O7）将进入高阻态：设备未被选中时（CE为高电平）或控制信号OE被撤销时。
高速
tAA = 10 ns
低有源电流和待机电流
有源电流 ：ICC = 38 mA（典型值）
待机电流：ISB2 = 6 mA（典型值）
工作电压范围：1.65 V 至 2.2 V、2.2 V 至 3.6 V 和
4.5 至 5.5 V
1.0 V 数据保持
TTL兼容输入输出
无铅 36 针 SOJ 和 44 针 TSOP II 封装