Infineon 异步SRAM, 4Mbit, 512k x 16 位, 36针, 贴片安装, SOJ, 最长10ns, 100MHz
- RS 库存编号:
- 182-3295
- 制造商零件编号:
- CY7C1049GN-10VXI
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计（1 管，共 19 件）*
¥508.516
(不含税)
¥574.617
(含税)
暂时缺货
- 在 2026年3月16日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | Per Tube* |
|---|---|---|
| 19 - 76 | RMB26.764 | RMB508.52 |
| 95 + | RMB26.378 | RMB501.18 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 182-3295
- 制造商零件编号:
- CY7C1049GN-10VXI
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 内存大小 | 4Mbit | |
| 组织 | 512k x 16 位 | |
| 字组数目 | 512k | |
| 每字组的位元数目 | 8Bit | |
| 最长随机存取时间 | 10ns | |
| 时钟频率 | 100MHz | |
| 计时类型 | 异步 | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 封装类型 | SOJ | |
| 引脚数目 | 36 | |
| 尺寸 | 0.93 x 0.4 x 0.12mm | |
| 高度 | 0.12mm | |
| 最大工作电源电压 | 5.5 V | |
| 长度 | 0.93mm | |
| 宽度 | 0.4mm | |
| 最小工作电源电压 | 4.5 V | |
| 最高工作温度 | +85 °C | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
内存大小 4Mbit | ||
组织 512k x 16 位 | ||
字组数目 512k | ||
每字组的位元数目 8Bit | ||
最长随机存取时间 10ns | ||
时钟频率 100MHz | ||
计时类型 异步 | ||
安装类型 贴片 | ||
封装类型 SOJ | ||
引脚数目 36 | ||
尺寸 0.93 x 0.4 x 0.12mm | ||
高度 0.12mm | ||
最大工作电源电压 5.5 V | ||
长度 0.93mm | ||
宽度 0.4mm | ||
最小工作电源电压 4.5 V | ||
最高工作温度 +85 °C | ||
最低工作温度 -40°C | ||
- COO (Country of Origin):
- US
CY7C1049GN 是高性能 CMOS 快速静态 RAM 设备，由 512K 字 x 8 位组成。数据写入通过保持芯片使能 (CE) 执行和写入使能 (WE) 输入低，同时提供有关 I/O0 到 I/O7 的数据和 A0 到 A18 引脚的地址来执行。数据读取通过保持芯片使能 (CE) 执行和输出启用 (OE) 输入低，同时提供地址行的所需地址来执行。读取数据可在 I/O 线路（I/O0 到 I/O7）上访问。在以下事件中，所有 I/O（I/O0 到 I/O7）均处于高阻抗状态：取消选定设备（CE 高）控制信号 OE 终止。
高速
tAA = 10 ns
低有源电流和待机电流
有源电流：ICC = 38 mA（典型值）
待机电流：ISB2 = 6 mA（典型值）
工作电压范围：1.65 V 至 2.2 V、2.2 V 至 3.6 V 和
4.5 V 至 5.5 V
1.0 V 数据保留
兼容 TTL 的输入和输出
无铅 36 引脚 SOJ 和 44 引脚 TSOP II 封装
tAA = 10 ns
低有源电流和待机电流
有源电流：ICC = 38 mA（典型值）
待机电流：ISB2 = 6 mA（典型值）
工作电压范围：1.65 V 至 2.2 V、2.2 V 至 3.6 V 和
4.5 V 至 5.5 V
1.0 V 数据保留
兼容 TTL 的输入和输出
无铅 36 引脚 SOJ 和 44 引脚 TSOP II 封装