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选择全部	属性	值
	品牌	Cypress Semiconductor
	存储器大小	256Kbit
	组织	32k x 8 位
	字组数目	32k
	每字组的位元数目	8Bit
	最长随机存取时间	45ns
	位址总线宽	8Bit
	时钟频率	1MHz
	低功率	是
	安装类型	贴片
	封装类型	SOIC
	引脚数目	32
	尺寸	20.87 x 7.59 x 2.29mm
	最大工作电源电压	5.5 V
	高度	2.29mm
	最高工作温度	+85°C
	宽度	7.59mm
	最低工作温度	-40°C
	长度	20.87mm
	最小工作电源电压	4.5 V

	选择全部
	品牌 Cypress Semiconductor
	存储器大小 256Kbit
	组织 32k x 8 位
	字组数目 32k
	每字组的位元数目 8Bit
	最长随机存取时间 45ns
	位址总线宽 8Bit
	时钟频率 1MHz
	低功率是
	安装类型贴片
	封装类型 SOIC
	引脚数目 32
	尺寸 20.87 x 7.59 x 2.29mm
	最大工作电源电压 5.5 V
	高度 2.29mm
	最高工作温度 +85°C
	宽度 7.59mm
	最低工作温度 -40°C
	长度 20.87mm
	最小工作电源电压 4.5 V

25 ns 和 45 ns 接入时间
内部组织为 32K ´ 8 (CY14E256LA)
手动关闭自动存储，仅使用一个小电容器断电
在断电时存储到由软件，设备 PIN 或自动存储启动的 Quantum Trap 非易失性元素
调用由软件或加电启动的 SRAM
无限读取，写入和调用周期
100 万个存储周期到量子陷阱
20 年数据保留
单个 5V +10% 的操作
工业温度
44 引脚细小外形封装 (TSOP) II 型和 32 引脚小型集成电路 (SOIC) 封装
无铅

Cypress Semiconductor 256Kbit 1MHzSRAM, 8Bit每字组, 32k x 8 位, 32针, CY14E256LA-SZ45XI