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单位 | 每单位 | Per Tray* |
|---|---|---|
| 135 - 135 | RMB15.215 | RMB2,054.03 |
| 270 - 405 | RMB14.91 | RMB2,012.85 |
| 540 + | RMB14.463 | RMB1,952.51 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 194-8861
- 制造商零件编号:
- CY62136FV30LL-45ZSXI
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 存储器大小 | 2MB | |
| 产品类型 | SRAM | |
| 字组数目 | 128k | |
| 每字组的位元数目 | 16 | |
| 最长随机存取时间 | 45ns | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 最高工作温度 | 85°C | |
| 引脚数目 | 22 | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
存储器大小 2MB | ||
产品类型 SRAM | ||
字组数目 128k | ||
每字组的位元数目 16 | ||
最长随机存取时间 45ns | ||
最低工作温度 -40°C | ||
最高工作温度 85°C | ||
引脚数目 22 | ||
标准/认证 RoHS | ||
Cypress Semiconductor CY62136FV30 系列是一款高性能CMOS静态RAM，其结构为128K字x16位。该设备采用先进的电路设计，可提供超低有功电流。这非常适合为便携式应用提供更长的电池续航时间。该器件还具备自动关闭功能，可在地址不切换时显著降低功耗。
非常高速,通常为 45 ns
超低待机功耗
未选中时自动断电
补充金属氧化物半导体 (CMOS),以实现最佳速度和功率
相关链接
- Infineon SRAM, 2 MB, 16每字组, 128K x 16 位, 48引脚, MoBL系列
- Infineon SRAM, 1 MB, 16每字组, 44引脚, CY62126EV30系列
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- Infineon SRAM, 2 MB, 8每字组, 256K x 8 位, 22引脚
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