Infineon 异步, CY7C1021D-10VXI SRAM, 1 MB, 64K x 16 bit, 44引脚, 通孔安装, SOJ, 最长10 ns

该器件还具备自动关闭功能，在取消选择的情况下可显著降低功耗。当设备未被选中（CE为高电平）、输出被禁用（OE为高电平）、BHE和BLE被禁用（BHE、BLE为高电平）或在写入操作期间（CE为低电平且WE为低电平）时，输入输出引脚（I/O0至I/O15）将处于高阻抗状态。通过将芯片使能（CE）和写使能（WE）输入置为低电平来写入设备。如果字节低使能（BLE）为低电平，则来自I/O引脚（I/O0至I/O7）的数据将被写入地址引脚（A0至A15）指定的位置。如果字节高使能（BHE）为低电平，则来自I/O引脚（I/O8至I/O15）的数据将被写入地址引脚（A0至A15）指定的位置。通过将芯片使能（CE）和输出使能（OE）置为低电平，同时强制写使能（WE）置为高电平，从设备读取数据。如果字节低使能（BLE）为低电平，则由地址引脚指定的存储位置的数据将出现在I/O0至I/O7上。