制造商编号

Renesas Electronics SRAM, 4 MB, 16每字组, 44引脚, RMLV0416E系列

RS 库存编号:: 250-0190P
制造商零件编号:: RMLV0416EGSB-4S2#AA1
制造商:: Renesas Electronics

Renesas Electronics SRAM, 4 MB, 16每字组, 44引脚, RMLV0416E系列

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单位	每单位
10 - 24	RMB28.17
25 - 49	RMB27.58
50 - 74	RMB27.43
75 +	RMB26.89

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RS 库存编号:: 250-0190P
制造商零件编号:: RMLV0416EGSB-4S2#AA1
制造商:: Renesas Electronics

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Renesas Electronics
	存储器大小	4MB
	产品类型	SRAM
	字组数目	256K
	每字组的位元数目	16
	最长随机存取时间	45ns
	最低电源电压	2.7V
	最大电源电压	3.6V
	安装类型	表面
	包装类型	TSOP
	最低工作温度	-40°C
	最高工作温度	85°C
	引脚数目	44
	高度	1mm
	长度	18.41mm
	标准/认证	RoHS
	系列	RMLV0416E
	宽度	10.16mm
	汽车标准	否
	供应进气口螺纹性别	10mA

	选择全部
	品牌 Renesas Electronics
	存储器大小 4MB
	产品类型 SRAM
	字组数目 256K
	每字组的位元数目 16
	最长随机存取时间 45ns
	最低电源电压 2.7V
	最大电源电压 3.6V
	安装类型表面
	包装类型 TSOP
	最低工作温度 -40°C
	最高工作温度 85°C
	引脚数目 44
	高度 1mm
	长度 18.41mm
	标准/认证 RoHS
	系列 RMLV0416E
	宽度 10.16mm
	汽车标准否
	供应进气口螺纹性别 10mA

Datasheet - RMLV0416EGSB-4S2#AA1

4Mb 高级 LPSRAM(256 字 x 16 位)

RMLV0416E 系列是一系列 4 Mbit 静态 RAM,有序 262、144 字 x 16 位,采用 Renesas 的高性能高级 LPSRAM 技术制造。RMLV0416E 系列实现了更高密度、更高性能和低功耗。RMLV0416E 系列提供低待机功耗,因此适用于备用电池系统。它以 44 引脚 TSOP (II) 或 48 球细节节距球形网格阵列提供。

主要功能

单 3V 电源:2.7V 至 3.6V

访问时间:45ns(最大)

电流消耗:待机:0.3μA(典型值)

同等访问和循环时间

共用数据输入和输出,三态输出

直接 TTL 兼容所有输入和输出

Renesas Electronics SRAM, 4 MB, 16每字组, 44引脚, RMLV0416E系列

批量定价选项

4Mb 高级 LPSRAM(256 字 x 16 位)

主要功能

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