Renesas Electronics 异步SRAM, 128Kbit, 8K x 16, 100针, 贴片安装, TQFP-100, 最长20ns
- RS 库存编号:
- 250-3455
- 制造商零件编号:
- 7025L20PFGI
- 制造商:
- Renesas Electronics
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 - 4 | RMB450.19 |
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| 25 + | RMB409.25 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 250-3455
- 制造商零件编号:
- 7025L20PFGI
- 制造商:
- Renesas Electronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Renesas Electronics | |
| 内存大小 | 128Kbit | |
| 组织 | 8K x 16 | |
| 字组数目 | 8K | |
| 每字组的位元数目 | 16Bit | |
| 最长随机存取时间 | 20ns | |
| 位址总线宽 | 32Bit | |
| 低功耗 | 是 | |
| 计时类型 | 异步 | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 封装类型 | TQFP-100 | |
| 引脚数目 | 100 | |
| 尺寸 | 14 x 14 x 1.4mm | |
| 高度 | 1.4mm | |
| 最大工作电源电压 | 5.5 V | |
| 最高工作温度 | +85 °C | |
| 长度 | 14mm | |
| 宽度 | 14mm | |
| 最低工作温度 | -40 °C | |
| 最小工作电源电压 | 4.5 V | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Renesas Electronics | ||
内存大小 128Kbit | ||
组织 8K x 16 | ||
字组数目 8K | ||
每字组的位元数目 16Bit | ||
最长随机存取时间 20ns | ||
位址总线宽 32Bit | ||
低功耗 是 | ||
计时类型 异步 | ||
安装类型 贴片 | ||
封装类型 TQFP-100 | ||
引脚数目 100 | ||
尺寸 14 x 14 x 1.4mm | ||
高度 1.4mm | ||
最大工作电源电压 5.5 V | ||
最高工作温度 +85 °C | ||
长度 14mm | ||
宽度 14mm | ||
最低工作温度 -40 °C | ||
最小工作电源电压 4.5 V | ||
这款 Renesas Electronics 静态 RAM 为 8K x 16 高速双端口器件。它设计为独立的 128K 位双端口 RAM 或作为主/从双端口 RAM 组合,用于 32 位或以上的系统。在 32 位或更广泛的存储器系统应用中使用 IDT 主/从双端口 RAM 方法,可实现全速且无错误的操作,无需采用额外的离散逻辑。它提供两个独立端口,带独立的控制、地址和 I/O 引脚,可对存储器中的任何位置进行异步读/写访问。
采用 CMOS 高性能技术制造
通常仅在 750mW 功率下工作
提供电池备份数据保留能力,2V 电池的典型功耗为 500μW
IDT7025 采用陶瓷 84 针 PGAS 封装
单独的高字节和低字节控制,用于实现多路复用总线兼容性
片上端口仲裁逻辑
从任一端口进行完全异步操作
在选定的速度下,可提供 -40°C 至 +85°C 的工业操作温度范围
通常仅在 750mW 功率下工作
提供电池备份数据保留能力,2V 电池的典型功耗为 500μW
IDT7025 采用陶瓷 84 针 PGAS 封装
单独的高字节和低字节控制,用于实现多路复用总线兼容性
片上端口仲裁逻辑
从任一端口进行完全异步操作
在选定的速度下,可提供 -40°C 至 +85°C 的工业操作温度范围
