Renesas Electronics 异步 SRAM 内存, 4 MB, 256k x 16, 44引脚, 最长12 ns
- RS 库存编号:
- 254-4966
- 制造商零件编号:
- 71V416S12PHGI
- 制造商:
- Renesas Electronics
可享批量折扣
小计（1 托盘，共 135 件）*
¥8,412.39
(不含税)
¥9,506.025
(含税)
暂时缺货
- 在 2026年6月29日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | Per Tray* |
|---|---|---|
| 135 - 135 | RMB62.314 | RMB8,412.39 |
| 270 + | RMB61.068 | RMB8,244.18 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 254-4966
- 制造商零件编号:
- 71V416S12PHGI
- 制造商:
- Renesas Electronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Renesas Electronics | |
| 存储器大小 | 4MB | |
| 产品类型 | SRAM 内存 | |
| 组织 | 256k x 16 | |
| 字组数目 | 262144 Words | |
| 每字组的位元数目 | 16 | |
| 最长随机存取时间 | 12ns | |
| 位址总线宽 | 18bit | |
| 最低电源电压 | 3V | |
| 计时类型 | 异步 | |
| 最大电源电压 | 3.6V | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 引脚数目 | 44 | |
| 最高工作温度 | 85°C | |
| 长度 | 9mm | |
| 标准/认证 | JEDECLVTTL-Compatible | |
| 高度 | 9mm | |
| 系列 | 71V416 | |
| 供应进气口螺纹性别 | 200mA | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Renesas Electronics | ||
存储器大小 4MB | ||
产品类型 SRAM 内存 | ||
组织 256k x 16 | ||
字组数目 262144 Words | ||
每字组的位元数目 16 | ||
最长随机存取时间 12ns | ||
位址总线宽 18bit | ||
最低电源电压 3V | ||
计时类型 异步 | ||
最大电源电压 3.6V | ||
最低工作温度 -40°C | ||
引脚数目 44 | ||
最高工作温度 85°C | ||
长度 9mm | ||
标准/认证 JEDECLVTTL-Compatible | ||
高度 9mm | ||
系列 71V416 | ||
供应进气口螺纹性别 200mA | ||
汽车标准 否 | ||
Renesas Electronics 异步静态 RAM 中心 pwr 和 gnd 引脚输出 4,194,304 位高速静态 RAM 以 256K x 16 排列。它采用高性能、高可靠性 CMOS 技术制造。这种最先进的技术与创新的电路设计技术相结合,为高速存储器需求提供经济实惠的解决方案。它具有输出启用引脚,工作速度高达 5 ns,地址访问时间高达 10 ns。它封装在 44 引脚、400 mil 塑料 SOJ 和 44 引脚、400 mil TSOP II 型封装中,以及 48 球形网格阵列、9mm x 9mm 封装。
256K x 16 高级高速 CMOS 静态 RAM JEDEC 中心电源/GND 引脚输出,可减少噪声。一个芯片选择和一个输出启用引脚 双向数据输入和输出直接兼容 LVTTL 通过芯片取消选择低功耗 上部和下部位启用引脚单 3.3 V 电源提供 44 引脚、400 mil 塑料 SOJ 封装和 44 引脚、400 mil TSOP II 型封装和 48 球形网格阵列,9mm x 9mm 封装。提供绿色部件,请参见订购信息