Renesas Electronics SRAM, 4Mbit, 256k x 16, 最长12ns

Renesas Electronics 异步静态 RAM 中心 pwr 和 gnd 引脚输出 4,194,304 位高速静态 RAM 以 256K x 16 排列。它采用高性能、高可靠性 CMOS 技术制造。这种最先进的技术与创新的电路设计技术相结合,为高速存储器需求提供经济实惠的解决方案。它具有输出启用引脚,工作速度高达 5 ns,地址访问时间高达 10 ns。它封装在 44 引脚、400 mil 塑料 SOJ 和 44 引脚、400 mil TSOP II 型封装中,以及 48 球形网格阵列、9mm x 9mm 封装。

256K x 16 高级高速 CMOS 静态 RAM JEDEC 中心电源/GND 引脚输出,可减少噪声。一个芯片选择和一个输出启用引脚 双向数据输入和输出直接兼容 LVTTL 通过芯片取消选择低功耗 上部和下部位启用引脚单 3.3 V 电源提供 44 引脚、400 mil 塑料 SOJ 封装和 44 引脚、400 mil TSOP II 型封装和 48 球形网格阵列,9mm x 9mm 封装。提供绿色部件,请参见订购信息