Renesas Electronics 异步 SRAM, 1 MB, 256k x 16, 44引脚, 表面安装, SOJ-44, 最长12 ns
- RS 库存编号:
- 263-7916
- 制造商零件编号:
- 71V416S12PHG
- 制造商:
- Renesas Electronics
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|---|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 263-7916
- 制造商零件编号:
- 71V416S12PHG
- 制造商:
- Renesas Electronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Renesas Electronics | |
| 存储器大小 | 1MB | |
| 产品类型 | SRAM | |
| 组织 | 256k x 16 | |
| 字组数目 | 256K | |
| 每字组的位元数目 | 16 | |
| 最长随机存取时间 | 12ns | |
| 最低电源电压 | 3V | |
| 计时类型 | 异步 | |
| 最大电源电压 | 3.6V | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 最低工作温度 | 0°C | |
| 包装类型 | SOJ-44 | |
| 引脚数目 | 44 | |
| 最高工作温度 | 70°C | |
| 系列 | IDT71V416 | |
| 宽度 | 10.16 mm | |
| 标准/认证 | JEDEC | |
| 高度 | 1mm | |
| 长度 | 18.41mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 供应进气口螺纹性别 | 180mA | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Renesas Electronics | ||
存储器大小 1MB | ||
产品类型 SRAM | ||
组织 256k x 16 | ||
字组数目 256K | ||
每字组的位元数目 16 | ||
最长随机存取时间 12ns | ||
最低电源电压 3V | ||
计时类型 异步 | ||
最大电源电压 3.6V | ||
安装类型 表面 | ||
最低工作温度 0°C | ||
包装类型 SOJ-44 | ||
引脚数目 44 | ||
最高工作温度 70°C | ||
系列 IDT71V416 | ||
宽度 10.16 mm | ||
标准/认证 JEDEC | ||
高度 1mm | ||
长度 18.41mm | ||
汽车标准 否 | ||
供应进气口螺纹性别 180mA | ||
- COO (Country of Origin):
- TW
Renesas Electronics CMOS 静态 RAM 6 是高速静态 RAM,以 64K x 16 排列。它采用高性能、高可靠性 CMOS 技术制造。这种最先进的技术与创新的电路设计技术相结合,为高速存储器需求提供经济实惠的解决方案。RAM 的所有双向输入和输出均与 TTL 兼容,操作由单个 5V 电源供电。使用完全静态异步电路,操作无需时钟或刷新。
一个芯片选择和一个输出启用引脚
双向数据输入和输出直接兼容 TTL
通过芯片取消选择,低功耗
高位和低位启用引脚