Infineon SRAM, 16 MB, 1M x 16 bit, 2M x 8 bit, 48引脚, 表面安装, TSOP I, 最长45 ns
- RS 库存编号:
- 273-5284
- 制造商零件编号:
- CY62167EV30LL-45BVXI
- 制造商:
- Infineon
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- 制造商零件编号:
- CY62167EV30LL-45BVXI
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | SRAM | |
| 存储器大小 | 16MB | |
| 组织 | 1M x 16 bit, 2M x 8 bit | |
| 字组数目 | 1000 k, 2000 k | |
| 每字组的位元数目 | 16 | |
| 最长随机存取时间 | 45ns | |
| 最低电源电压 | 0.3V | |
| 最大电源电压 | 3.9V | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 包装类型 | TSOP I | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 最高工作温度 | 85°C | |
| 引脚数目 | 48 | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 高度 | 12mm | |
| 宽度 | 1.05 mm | |
| 长度 | 20mm | |
| 系列 | CY62167EV30 | |
| 供应进气口螺纹性别 | 35mA | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 SRAM | ||
存储器大小 16MB | ||
组织 1M x 16 bit, 2M x 8 bit | ||
字组数目 1000 k, 2000 k | ||
每字组的位元数目 16 | ||
最长随机存取时间 45ns | ||
最低电源电压 0.3V | ||
最大电源电压 3.9V | ||
安装类型 表面 | ||
包装类型 TSOP I | ||
最低工作温度 -40°C | ||
最高工作温度 85°C | ||
引脚数目 48 | ||
标准/认证 RoHS | ||
高度 12mm | ||
宽度 1.05 mm | ||
长度 20mm | ||
系列 CY62167EV30 | ||
供应进气口螺纹性别 35mA | ||
Infineon SRAM是一种高性能的CMOS静态RAM,以16位的1M字或8位的2M字组成。此设备具有高级电路设计,可提供超低有源电流。超低有源电流特别适用于在便携式应用(如手机)中提供更长的电池寿命。该设备还具有自动关闭功能,当地址不咔嗒时,可将功耗降低 99%。
非常高速
超低有源功率
超低待机功率
CMOS 可实现最佳速度和功率
取消选择时自动关闭电源