Infineon SRAM, 64 MB, 4M x 16, 48引脚, 表面安装, FBGA, 最长55 ns
- RS 库存编号:
- 273-5286
- 制造商零件编号:
- CY62187EV30LL-55BAXI
- 制造商:
- Infineon
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- RS 库存编号:
- 273-5286
- 制造商零件编号:
- CY62187EV30LL-55BAXI
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | SRAM | |
| 存储器大小 | 64MB | |
| 组织 | 4M x 16 | |
| 字组数目 | 4000K | |
| 每字组的位元数目 | 16 | |
| 最长随机存取时间 | 55ns | |
| 最低电源电压 | 0.3V | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 最大电源电压 | 3.9V | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 包装类型 | FBGA | |
| 引脚数目 | 48 | |
| 最高工作温度 | 85°C | |
| 高度 | 8mm | |
| 系列 | CY62187EV30 | |
| 长度 | 9.5mm | |
| 宽度 | 1.4 mm | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 供应进气口螺纹性别 | 55mA | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 SRAM | ||
存储器大小 64MB | ||
组织 4M x 16 | ||
字组数目 4000K | ||
每字组的位元数目 16 | ||
最长随机存取时间 55ns | ||
最低电源电压 0.3V | ||
安装类型 表面 | ||
最大电源电压 3.9V | ||
最低工作温度 -40°C | ||
包装类型 FBGA | ||
引脚数目 48 | ||
最高工作温度 85°C | ||
高度 8mm | ||
系列 CY62187EV30 | ||
长度 9.5mm | ||
宽度 1.4 mm | ||
标准/认证 RoHS | ||
供应进气口螺纹性别 55mA | ||
Infineon SRAM 是高性能 CMOS 静态 RAM,以 16 位的 4M 单词排列。此设备具有高级电路设计,可提供超低有源电流。它特别适用于在便携式应用中提供更多电池寿命TM,如手机。该设备还具有自动关闭功能,当地址不咔嗒时,可显著减少 99% 的功耗。
非常高速
超低有源功率
超低待机功率
CMOS 可实现最佳速度和功率
取消选择时自动关闭电源