Infineon DDR, S70KL1282GABHV020 SRAM, 128 MB, FBGA-24 球, 最长35 ns, 200 MHz
- RS 库存编号:
- 273-5437
- 制造商零件编号:
- S70KL1282GABHV020
- 制造商:
- Infineon
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- RS 库存编号:
- 273-5437
- 制造商零件编号:
- S70KL1282GABHV020
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 存储器大小 | 128MB | |
| 产品类型 | SRAM | |
| 每字组的位元数目 | 16 | |
| 最长随机存取时间 | 35ns | |
| 最高时钟频率 | 200MHz | |
| 最低电源电压 | 1.8V | |
| 计时类型 | DDR | |
| 最大电源电压 | 3V | |
| 包装类型 | FBGA-24 球 | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 最高工作温度 | 105°C | |
| 系列 | HYPERRAM | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | AEC-Q100 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
存储器大小 128MB | ||
产品类型 SRAM | ||
每字组的位元数目 16 | ||
最长随机存取时间 35ns | ||
最高时钟频率 200MHz | ||
最低电源电压 1.8V | ||
计时类型 DDR | ||
最大电源电压 3V | ||
包装类型 FBGA-24 球 | ||
最低工作温度 -40°C | ||
最高工作温度 105°C | ||
系列 HYPERRAM | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 AEC-Q100 | ||
Infineon DRAM 是高速 CMOS 自刷新 DRAM,带 HYPERBUSTM 接口。DRAM 阵列使用需要定期刷新的动态电池。当存储器未由 HYPERBUSTM 接口主机主动读取或写入时,设备内部的刷新控制逻辑可管理 DRAM 阵列上的刷新操作。由于主机不需要管理任何刷新操作,因此,对主机来说,DRAM 阵列就像存储器使用静态电池一样,可在不刷新的情况下保留数据。因此,存储器更准确地描述为假静态 RAM。
HYPERBUSTM 接口
200 MHz 最大时钟速率
可配置的爆炸特性
数据传输速率高达 400 MBps
双向读写数据节奏
可选 DDR 中心对齐读取节奏