Infineon SRAM, 128Mbit, 最长35ns

查看所有SRAM

小计（1 托盘，共 338 件）*

¥12,241.008

(不含税)

¥13,832.312

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
暂时缺货
  • 在 2026年3月09日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位
每单位
Per Tray*
338 +RMB36.216RMB12,241.01

* 参考价格

RS 库存编号:
273-5437
制造商零件编号:
S70KL1282GABHV020
制造商:
Infineon
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

Infineon

内存大小

128Mbit

每字组的位元数目

16Bit

最长随机存取时间

35ns

Infineon DRAM 是高速 CMOS 自刷新 DRAM,带 HYPERBUSTM 接口。DRAM 阵列使用需要定期刷新的动态电池。当存储器未由 HYPERBUSTM 接口主机主动读取或写入时,设备内部的刷新控制逻辑可管理 DRAM 阵列上的刷新操作。由于主机不需要管理任何刷新操作,因此,对主机来说,DRAM 阵列就像存储器使用静态电池一样,可在不刷新的情况下保留数据。因此,存储器更准确地描述为假静态 RAM。

HYPERBUSTM 接口
200 MHz 最大时钟速率
可配置的爆炸特性
数据传输速率高达 400 MBps
双向读写数据节奏
可选 DDR 中心对齐读取节奏

该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。