KEMET 直插二氧化锰钽电容, 1μF, 35V 直流, 4571, ±20%容差, 4.5 (Dia.) x 7.1mm, T350系列

KEMET UltraDip II 系列以具有竞争力的价格为优质仪器和娱乐系统设计人员提供了固体钽电容器固有的广泛认证优势。这些电容器是微型浸渍固体钽电容器，为设计人员提供了紧凑、低泄漏和低 DF 性能特征的优势，可用于滤波、旁路、耦合、阻塞和 RC 定时电路。该系列具有 0.1 μF 至 680 μF 的电容范围，3 V 直流至 50 V 直流的电压范围。UltraDip II 电容器采用相同的精密材料和工艺，将 KEMET 列为固体钽电容器的领先制造商。塑料外壳提供坚韧的阻隔涂层，并将导线间距精度保持在 ±0.015 in. 内。使用金色环氧树脂可以激光打标，具有出色的持久性和清晰度。所有外壳尺寸均印有电容、电压、极性和供应商标识。固体钽设备在货架存储期间不会出现劣化故障情况，并在寿命测试期间显示不断降低的故障率（即，不存在损耗机制）。自绝缘箱，可抵抗冲击和振动。此系列还显示低直流泄漏、ESR 和阻抗，并保持极佳的温度稳定性。

带式和卷式，符合 EIA 规格 RS-468
激光标志箱
0.1 μF 至 680 μF 的电容值
容差为 ±5%（特殊订购）、±10% 和 ±20%
额定电压为 3 V 直流-50 V 直流
外壳尺寸：A、B、C、D、E、F、G、H、J、K、L、M