Vishay IGBT可控硅模块, 平均160A, 浪涌5.1kA, Vrrm=1200V, INT-A-PAK

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395-8384
制造商零件编号:
VS-VSKT162/12PBF
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

额定平均通态电流

160A

可控硅类型

IGBT

封装类型

INT-A-PAK

重复峰值反向电压

1200V

浪涌电流额定值

5.1kA

安装类型

面板

最大栅极触发电流

270mA

最大栅极触发电压

4V

最大保持电流

200mA

引脚数目

7

尺寸

94 x 35 x 30mm

最高工作温度

+125 °C

重复峰值正向阻断电压

1200V

最低工作温度

-40°C

峰值通态电压

1.54V

重复峰值断态电流

50mA

闸流晶体管/闸流晶体管 VS-VSKT 系列,INT-A-PAK 模块,Vishay Semiconductor


两个闸流晶体管 (SCR) 配置
从金属底座隔离 3500VRMS 电压
工业标准封装 INT-A-PAK
高脉冲容量

认可

UL 认证文件 E78996

该产品为定制化产品,不可取消或退货,并遵循RS销售条款和条件。



闸流晶体管 - Vishay Semiconductor


闸流晶体管是一种固态半导体设备,具有四层交替的 N 型和 P 型材料。 它们充当双稳态开关,当它们的栅极接收到电流触发时发挥作用,并在处于正向偏压时继续发挥作用。 闸流晶体管与硅控整流器 (SCR) 同义。
带电气隔离底板的密封模块。 适合电池充电器、电焊机、电镀设备以及稳压电源、温度和速度控制电路等应用。